[发明专利]乘加运算装置及其乘加运算的控制方法在审

专利信息
申请号: 202110690348.8 申请日: 2021-06-22
公开(公告)号: CN114816330A 公开(公告)日: 2022-07-29
发明(设计)人: 曾柏皓;李峯旻;林榆瑄 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: G06F7/544 分类号: G06F7/544;G11C8/14;G11C16/08
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 运算 装置 及其 控制 方法
【权利要求书】:

1.一种乘加运算装置,其中,包括:

一特征信息筛选器,记录多个特征信息的多个指定位,使所接收的一输入信息与这些指定位进行比较以产生一比较结果,并依据该比较结果以产生一筛选地址;以及

一存储器内运算器,耦接该特征信息筛选器,该存储器内运算器记录这些特征信息的全部位,该存储器内运算器依据该筛选地址,以使这些特征信息与该输入信息进行乘加运算来产生一运算结果。

2.根据权利要求1所述的乘加运算装置,其中,这些指定位分别为这些特征信息的最大有效位。

3.根据权利要求1所述的乘加运算装置,其中,该特征信息筛选器判断该输入信息中的多个设定位与这些指定位的相符状态以产生该比较结果,并依据该比较结果执行编码动作来产生该筛选地址。

4.根据权利要求1所述的乘加运算装置,其中,该特征信息筛选器为一多态内容可寻址存储器或一模拟式内容可寻址存储器。

5.根据权利要求1所述的乘加运算装置,其中,该特征信息筛选器具有一存储器阵列,该存储器阵列具有二维结构或三维结构,该存储器阵列由快闪存储单元、电阻式存储单元、相变化式存储单元、磁阻式随机存取存储单元或铁电场效存储单元所构成。

6.根据权利要求4所述的乘加运算装置,其中,该多态内容可寻址存储器包括由多个存储单元构成的存储器阵列,各该存储单元包括:

一第一晶体管,具有第一端耦接至一匹配线,该第一晶体管的第二端耦接至一源极线,该第一晶体管的控制端接收一反向搜寻信号;以及

一第二晶体管,具有第一端耦接至该匹配线,该第二晶体管的第二端耦接至该源极线,该第二晶体管的控制端接收一搜寻信号,

其中该第一晶体管以及该第二晶体管为浮动栅极晶体管。

7.根据权利要求6所述的乘加运算装置,其中,该多态内容可寻址存储器还包括:

一预充电电路,耦接至该匹配线,依据一启动信号以将该匹配线的一匹配电压被预充至一预充电压;

一感测放大器及编码器,耦接该匹配线,在一感测期间使该匹配电压与一参考电压比较以产生该比较结果,并编码该比较结果以产生该筛选地址。

8.根据权利要求7所述的乘加运算装置,其中,当各该存储单元所存储的内容与该搜寻信号相符时,该匹配电压在该感测期间被拉低至一参考接地电压,当各该存储单元所存储的内容与该搜寻信号不相符时,该匹配电压在该感测期间被维持等于该预充电压。

9.根据权利要求7所述的乘加运算装置,其中,当各该存储单元所存储的内容与该搜寻信号不相符时,该匹配电压在该感测期间被拉低至一参考接地电压,当各该存储单元所存储的内容与该搜寻信号相符时,该匹配电压在该感测期间被维持等于该预充电压。

10.根据权利要求1所述的乘加运算装置,其中,还包括:

一特征撷取器,针对一样本信息执行一数据撷取动作以获得这些特征信息,并使这些特征信息的这些指定位被写入至该特征信息筛选器,使这些特征信息的所有位被写入至该存储器内运算器。

11.根据权利要求1所述的乘加运算装置,其中,该存储器内运算器为与非门闪存。

12.根据权利要求1所述的乘加运算装置,其中,该特征信息筛选器设置在一第一芯片上,该存储器内运算器设置在一第二芯片上,该第一芯片与该第二芯片不相同。

13.一种乘加运算的控制方法,其中,包括:

提供一特征信息筛选器以记录多个特征信息的多个指定位;

提供该特征信息筛选器以比较一输入信息与这些指定位来产生一比较结果,并依据该比较结果以产生一筛选地址;以及

启动一存储器内运算器的该筛选地址,使这些特征信息与该输入信息进行乘加运算来产生一运算结果,其中该存储器内运算器记录这些特征信息的全部位。

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