[发明专利]有机发光显示设备及其制造方法在审
申请号: | 202110689945.9 | 申请日: | 2015-11-18 |
公开(公告)号: | CN113540185A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 金世埈;李晙硕;李昭廷;张真稀;任从赫;李在晟 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示 设备 及其 制造 方法 | ||
公开了一种有机发光显示设备及其制造方法,其中在基板的有源区域中设置有阳极电极、有机发光层、阴极电极、以及连接至所述阴极电极的辅助电极,并且在所述基板的焊盘区域中设置有信号焊盘以及连接至所述信号焊盘的第一焊盘电极。所述辅助电极包括第一辅助电极以及通过接触孔连接至所述第一辅助电极的第二辅助电极,且所述第一焊盘电极由与所述第一辅助电极的材料相同的材料形成。
本申请是申请日为2015年11月18日、申请号为201510796677.5、发 明名称为“有机发光显示设备及其制造方法”的发明专利申请的分案申请。
本申请要求于2015年5月28日提交的韩国专利申请No.10-2015- 0075397的优先权,通过引用将该专利申请结合在此,如同在这里完全阐述 一样。
技术领域
本发明涉及一种有机发光显示设备,尤其涉及一种顶部发光型有机发光 显示设备及其制造方法。
背景技术
有机发光显示设备是自发光设备且具有低功耗、快速响应时间、高发光 效率、高亮度以及宽视角。
根据从有机发光装置发射的光的传输方向,有机发光显示设备分为顶部 发光型和底部发光型。在底部发光型中,在发光层与图像显示表面之间设置 有电路元件,由于此原因,开口率降低。另一方面,在顶部发光型中,在发 光层与图像显示表面之间没有设置电路元件,因而开口率提高。
图1是相关技术的顶部发光型有机发光显示设备的示意性剖面图。
如图1中所示,在基板10上的有源区域AA中形成有薄膜晶体管 (TFT)层T,且在TFT层T上依次形成有钝化层20和平坦化层30,其中 TFT层T包括有源层11、栅极绝缘层12、栅极电极13、层间电介质14、 源极电极15和漏极电极16。
在平坦化层30上形成有阳极电极40和辅助电极50。辅助电极50降低 下面要描述的阴极电极80的电阻。
在阳极电极40和辅助电极50上形成有堤部60,堤部60限定像素区 域。在由堤部60限定的像素区域中形成有有机发光层70,且在有机发光层70上形成有阴极电极80。
在顶部发光型中,从有机发光层70发射的光穿过阴极电极80。因此, 阴极电极80由透明导电材料形成,阴极电极80的电阻增加。为了降低阴极 电极80的电阻,阴极电极80连接至辅助电极50。
栅极绝缘层12和层间电介质14形成在基板10上的焊盘区域PA中, 在层间电介质14上形成有信号焊盘90,且在信号焊盘90上形成有钝化层 20。在钝化层20中设置有孔,信号焊盘90通过孔暴露到外部。因为信号焊 盘90应当连接至外部驱动电路,所以通过在钝化层20中形成孔将信号焊盘 90暴露到外部。
相关技术的顶部发光型有机发光显示设备具有下面的问题。
因为信号焊盘90应当连接至外部驱动电路,所以信号焊盘90的顶部暴 露到外部。由于此原因,信号焊盘90的顶部被腐蚀,并且腐蚀扩展至其他 区域。可在信号焊盘90的顶部上进一步形成抗腐蚀性非常出色的金属层, 从而防止信号焊盘90的顶部被腐蚀,但在这种情形中,工艺数增加。此 外,可通过同一工艺在信号焊盘90上形成与阳极电极40相同的电极层,从 而防止信号焊盘90的顶部被腐蚀而不增加工艺数。然而,即使在这种情形 中,仍不能防止电极层的材料被腐蚀,或者仍不能防止腐蚀通过电极层的侧 表面扩展。
此外,为了将信号焊盘90连接至外部驱动电路,通过在钝化层20中形 成孔来暴露信号焊盘90的顶部,但当预先形成钝化层20的孔时,用于图案 化形成阳极电极40的蚀刻剂流经孔并损坏信号焊盘90。为了防止损坏,可 在完成图案化形成阳极电极40的工艺之后,单独进行用于暴露信号焊盘90 的顶部的钝化层20的孔形成工艺,但在这种情形中,增加了单独的掩模工 艺。
发明内容
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的