[发明专利]一种控制LDO压降状态静态功耗的电路有效
申请号: | 202110689324.0 | 申请日: | 2021-06-22 |
公开(公告)号: | CN113253792B | 公开(公告)日: | 2022-07-26 |
发明(设计)人: | 丁敏;杨琨;黄桦 | 申请(专利权)人: | 南京微盟电子有限公司 |
主分类号: | G05F3/26 | 分类号: | G05F3/26 |
代理公司: | 杭州山泰专利代理事务所(普通合伙) 33438 | 代理人: | 周玲 |
地址: | 210000 江苏省南京*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 控制 ldo 状态 静态 功耗 电路 | ||
1.一种控制LDO压降状态静态功耗的电路,包括电源VDD,偏置电流源I,运算放大器EA、基准电压VREF,输出电压VOUT,反馈电压FB,信号线OP、供电信号VIN,接地信号GND,N型MOS管M1,P型MOS管M2、M3、M4,P型功率管Power,电阻R1、R2、R3、R4,其特征在于:
VOUT与GND之间接入的二极管连接的P型MOS管M4,且M4与偏置电流源I形成偏置电流信号线SP;
电源VDD的正端接VIN,负端接GND,GND接大地;
运算放大器EA的正端接基准电压VREF,负端接VOUT的反馈端FB,输出端接N型MOS管M1的栅极,VIN给EA供电;
运算放大器第二级为M1形成的共源极放大,M1的源极和衬底接GND,M1的漏极接信号线OP;
P型MOS管M2的栅极和漏极短接至OP,P型功率管Power的栅极、电阻R4的一端接OP,M2的衬底和R4的另一端接VIN;
M2的源极接电阻R3的一端,R3的另一端接P型MOS管M3的漏极;
M3的源极接VIN,栅极接SP,SP同时与P型MOS管M4的栅极和漏极相接,偏置电流源I的正端接SP,负端接GND;
P型功率管Power的源极和衬底接VIN,漏极接VOUT,且与M4的源极相接;
电阻R2的一端接VOUT,另一端接电阻R1的一端,并连接到FB,R1的另一端接GND。
2.根据权利要求1所述的一种控制LDO压降状态静态功耗的电路,其特征在于:偏置电流源I为nA级别。
3.根据权利要求1所述的一种控制LDO压降状态静态功耗的电路,其特征在于:M4的源极接VOUT,且栅极和漏极短接。
4.根据权利要求1所述的一种控制LDO压降状态静态功耗的电路,其特征在于:M3的源极的位置在运算放大器的第二级,且与运算放大器的第二级串联。
5.根据权利要求1所述的一种控制LDO压降状态静态功耗的电路,其特征在于:M3和M4的衬底均接VIN,M3的栅极、M4的栅极和漏极均接SP,M3和M4的宽长比相同,个数比为n:1,用于实现在LDO的压降状态中,偏置电流源I的电流镜像。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京微盟电子有限公司,未经南京微盟电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110689324.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。