[发明专利]一种控制LDO压降状态静态功耗的电路有效

专利信息
申请号: 202110689324.0 申请日: 2021-06-22
公开(公告)号: CN113253792B 公开(公告)日: 2022-07-26
发明(设计)人: 丁敏;杨琨;黄桦 申请(专利权)人: 南京微盟电子有限公司
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 杭州山泰专利代理事务所(普通合伙) 33438 代理人: 周玲
地址: 210000 江苏省南京*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 控制 ldo 状态 静态 功耗 电路
【权利要求书】:

1.一种控制LDO压降状态静态功耗的电路,包括电源VDD,偏置电流源I,运算放大器EA、基准电压VREF,输出电压VOUT,反馈电压FB,信号线OP、供电信号VIN,接地信号GND,N型MOS管M1,P型MOS管M2、M3、M4,P型功率管Power,电阻R1、R2、R3、R4,其特征在于:

VOUT与GND之间接入的二极管连接的P型MOS管M4,且M4与偏置电流源I形成偏置电流信号线SP;

电源VDD的正端接VIN,负端接GND,GND接大地;

运算放大器EA的正端接基准电压VREF,负端接VOUT的反馈端FB,输出端接N型MOS管M1的栅极,VIN给EA供电;

运算放大器第二级为M1形成的共源极放大,M1的源极和衬底接GND,M1的漏极接信号线OP;

P型MOS管M2的栅极和漏极短接至OP,P型功率管Power的栅极、电阻R4的一端接OP,M2的衬底和R4的另一端接VIN;

M2的源极接电阻R3的一端,R3的另一端接P型MOS管M3的漏极;

M3的源极接VIN,栅极接SP,SP同时与P型MOS管M4的栅极和漏极相接,偏置电流源I的正端接SP,负端接GND;

P型功率管Power的源极和衬底接VIN,漏极接VOUT,且与M4的源极相接;

电阻R2的一端接VOUT,另一端接电阻R1的一端,并连接到FB,R1的另一端接GND。

2.根据权利要求1所述的一种控制LDO压降状态静态功耗的电路,其特征在于:偏置电流源I为nA级别。

3.根据权利要求1所述的一种控制LDO压降状态静态功耗的电路,其特征在于:M4的源极接VOUT,且栅极和漏极短接。

4.根据权利要求1所述的一种控制LDO压降状态静态功耗的电路,其特征在于:M3的源极的位置在运算放大器的第二级,且与运算放大器的第二级串联。

5.根据权利要求1所述的一种控制LDO压降状态静态功耗的电路,其特征在于:M3和M4的衬底均接VIN,M3的栅极、M4的栅极和漏极均接SP,M3和M4的宽长比相同,个数比为n:1,用于实现在LDO的压降状态中,偏置电流源I的电流镜像。

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