[发明专利]一种阵列基板及显示面板有效
申请号: | 202110686383.2 | 申请日: | 2021-06-21 |
公开(公告)号: | CN113451332B | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
发明(设计)人: | 黄冠儒 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H10K59/12 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示 面板 | ||
本发明实施例涉及显示技术领域,公开了一种阵列基板及显示面板。本发明中,阵列基板包括:衬底、依次叠设于衬底上的底栅、底栅绝缘层、有源层、顶栅绝缘层以及顶栅;阵列基板还包括:源极和漏极,源极和漏极均与有源层电连接;顶栅包括:位于顶栅绝缘层远离衬底一侧的第一部分、以及自第一部分的边缘延伸并与底栅接触的第二部分;在沿源极指向漏极的方向上,第二部分的宽度大于或等于第一部分的宽度。本发明还提供了一种显示面板。本发明提供的阵列基板及显示面板,能够改善环境电场以及环境光源对显示面板的干扰,提高显示面板的稳定性。
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域,特别涉及一种阵列基板及显示面板。
背景技术
在显示技术领域,平板显示装置因具有高画质、省电、机身薄等优点,而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品,成为显示装置中的主流。
目前常见的平板显示装置主要包括:液晶显示面板(Liquid Crystal Display,LCD)和有机电致发光显示面板(Organic Light-Emitting Diode,AMOLED)。薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)是LCD显示面板和AMOLED显示面板的主要驱动元件,多个薄膜晶体管呈阵列式地排布于阵列基板上。
发明人发现现有技术中至少存在如下问题:由于显示面板中有源层的漏电流以及电性容易受到环境电场以及环境光源的干扰,从而导致了显示面板的稳定性不佳。
发明内容
本发明实施方式的目的在于提供一种阵列基板及显示面板,能够改善环境电场以及环境光源对显示面板的干扰,提高显示面板的稳定性。
为解决上述技术问题,本发明的实施方式提供了一种阵列基板,包括:衬底、依次叠设于所述衬底上的底栅、底栅绝缘层、有源层、顶栅绝缘层以及顶栅;所述阵列基板还包括:源极和漏极,所述源极和所述漏极均与所述有源层电连接;所述顶栅包括位于所述顶栅绝缘层远离所述衬底一侧的第一部分、以及自所述第一部分的边缘延伸并与所述底栅接触的第二部分;在沿所述源极指向所述漏极的方向上,所述第二部分的宽度大于或等于所述第一部分的宽度。
本发明的实施方式还提供了一种显示面板,包括:如上述的阵列基板,以及设置在所述阵列基板上的有机发光层。
另外,所述顶栅还包括贴附于所述底栅上的第三部分,所述第三部分与所述第二部分远离所述第一部分的一端相连。由于第三部分贴附于所述底栅上,即,除了正对有源层的区域,底栅表面的其他区域上的底栅绝缘层和顶栅绝缘层均被去除、以使顶栅和底栅接触面积更大,连接更加可靠。
另外,还包括贯穿所述底栅绝缘层的连接槽,在沿所述源极指向所述漏极的方向上,所述连接槽的宽度大于或等于所述第一部分的宽度;所述顶栅还包括贴附于所述底栅绝缘层上的第三部分,所述第二部分填满所述连接槽以与所述底栅接触,所述第三部分与所述第二部分相连。
另外,还包括贯穿所述底栅绝缘层和所述顶栅绝缘层的连接槽,在沿所述源极指向所述漏极的方向上,所述连接槽的宽度大于或等于所述第一部分的宽度;所述顶栅还包括贴附于所述顶栅绝缘层上的第三部分,所述第二部分填满所述连接槽以与所述底栅接触,所述第三部分与所述第二部分相连。
另外,所述顶栅绝缘层包括位于所述有源层远离所述衬底一侧的第四部分、以及与所述第四部分相连的第五部分,所述第五部分与所述底栅绝缘层背离所述衬底一侧的表面接触,所述第二部分贴附于所述第五部分和所述底栅绝缘层。
另外,所述顶栅绝缘层还贴附于所述源极远离所述衬底的一侧的表面上和/或所述漏极远离所述衬底的一侧的表面上。如此设置,能够避免在顶栅的制备过程中使得顶栅与源极和/或漏极误接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的