[发明专利]鳍式场效应晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、在半导体衬底上形成鳍体，所述鳍体之间具有间隔区域，在所述间隔区域中填充有隔离介质层，所述隔离介质层的顶部表面低于所述鳍体的顶部表面；

步骤二、形成第一栅极结构，所述第一栅极结构由位于栅极形成区域的第一栅介质层和第一多晶硅栅叠加而成；

所述第一多晶硅栅的顶部表面形成有第一硬质掩膜层，所述栅极形成区域由所述第一硬质掩膜层定义；

步骤三、在所述第一栅极结构两侧的所述鳍体中形成源区和漏区，包括如下分步骤：

步骤31、在所述第一多晶硅栅的侧面形成第一侧墙以及同时在所述栅极形成区域外的所述鳍体的侧面形成第二侧墙；

步骤32、以所述第一硬质掩膜层、所述第一侧墙和所述第二侧墙为掩膜对所述鳍体进行第一次鳍体刻蚀以在所述第一多晶硅栅两侧自对准形成U型形貌的凹槽；

步骤33、进行介质层刻蚀以使所述凹槽的第一侧面和第二侧面暴露的所述第二侧墙的部分材料层去除，从而扩大所述凹槽的体积；

所述凹槽的第三侧面和所述第一侧墙的侧面自对准从而使得所述第一多晶硅栅底部的所述第一栅介质层不被消耗并从而防止所述第一多晶硅栅的底部暴露在所述凹槽中；

步骤34、以所述第一硬质掩膜层、所述第一侧墙和所述第二侧墙为掩膜对所述鳍体进行第二次鳍体刻蚀以使所述凹槽体积扩大并使所述凹槽的形貌为钻石型；扩大后的所述凹槽会延伸到所述第一侧面的底部且会通过所述第一栅介质层和所述第一多晶硅栅隔离；

步骤35、在所述凹槽中填充外延层形成嵌入式外延层，在所述嵌入式外延层中进行源漏掺杂形成所述源区和所述漏区。

2.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于：所述半导体衬底包括硅衬底。

3.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于：所述隔离介质层采用浅沟槽隔离氧化层。

4.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于：所述第一硬质掩膜层由第一氧化层和第一氮化层叠加而成。

5.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于：步骤31中，所述第一侧墙和所述第二侧墙的形成步骤包括：

全面沉积侧墙材料层；

对所述侧墙材料层进行全面刻蚀同时形成所述第一侧墙和所述第二侧墙。

6.如权利要求5所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于：所述侧墙材料层包括依次叠加的氧化层、低K材料层和氮化层。

7.如权利要求6所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于：步骤33中，所述介质层刻蚀用于去除所述第二侧墙中的氧化层。

8.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于：步骤二中，所述第一栅介质层包括栅氧化层或高介电常数层。

9.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于：所述第一次鳍体刻蚀采用干法刻蚀。

10.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于：所述介质层刻蚀采用湿法刻蚀。

11.如权利要求2所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于：所述第二次鳍体刻蚀采用湿法刻蚀。

12.如权利要求11所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于：所述第二次鳍体刻蚀的湿法刻蚀的刻蚀液采用TMAH。

13.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于：所述鳍式场效应晶体管包括N型鳍式场效应晶体管和P型鳍式场效应晶体管。