[发明专利]存储器子系统中的高速缓存管理

说明书

本申请针对存储器子系统中的高速缓存管理。接口控制器可以包括第一缓冲器和第二缓冲器。所述接口控制器可以使用所述第一缓冲器和所述第二缓冲器来促进操作易失性存储器作为非易失性存储器的高速缓存。在访问操作期间，所述接口控制器可以使用所述缓冲器以在所述易失性存储器、所述非易失性存储器和另一装置之间传送数据。响应于所述访问操作，所述接口控制器可以使用所述第二缓冲器来将第二数据从所述易失性存储器传送到所述非易失性存储器。

相关申请的交叉引用

本申请要求BALLAPURAM等人于2020年6月23日提交的发明名称为“存储器子系统中的高速缓存管理(CACHE MANAGEMENT IN A MEMORY SUBSYSTEM)”的第63/042,953号美国临时专利申请的优先权，该临时专利申请被转让给本发明的受让人，并且该临时专利申请的全部内容通过引用的方式明确地并入本文中。

技术领域

技术领域涉及存储器子系统中的高速缓存管理。

背景技术

以下大体上涉及一或多个存储器系统，更具体地，涉及存储器子系统中的高速缓存管理。

存储器装置被广泛用于在计算机、无线通信装置、照相机、数字显示器等各种电子装置中存储信息。通过将存储器装置中的存储器单元编程为各种状态来存储信息。例如，二进制存储器单元可以被编程为两种支持状态中的一种，通常由逻辑1或逻辑0表示。在一些实例中，单个存储器单元可以支持多于两种状态，其中任何一种状态都可以被存储。为了访问存储的信息，部件可以读取或感测存储器装置中的至少一种存储状态。为了存储信息，部件可以在存储器装置中写入或编程状态。

存在各种类型的存储器装置和存储器单元，包括磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、静态RAM(SRAM)、同步RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)、闪存、相变存储器(PCM)、自选择存储器、硫属化物存储技术等。存储器单元可以是易失性的或非易失性的。非易失性存储器，例如FeRAM，即使在没有外部电源的情况下，也可以长时间保持其存储的逻辑状态。易失性存储器装置，例如DRAM，当与外部电源断开时，可能会失去它们的存储状态。

发明内容

描述了一种设备。该设备可以包括非易失性存储器；易失性存储器；以及与非易失性存储器和易失性存储器耦合的接口控制器。接口控制器可以包含缓冲器，并且可操作用于：从主机装置接收命令以将数据写入非易失性存储器的存储器地址，存储器地址与易失性存储器的存储体中的一组存储器单元相关联；至少部分基于命令将数据存储在缓冲器中，缓冲器具有对应于易失性存储器的页面大小的存储容量；在将数据存储在缓冲器中之后，确定易失性存储器的存储体中的一组存储器单元的存储信息；以及至少部分基于一组存储器单元的存储信息，将数据从缓冲器传送到易失性存储器的存储体中的一组存储器单元。

描述了一种设备。该设备可以包括非易失性存储器；易失性存储器；以及与非易失性存储器和易失性存储器耦合的接口控制器。接口控制器可以包含缓冲器，并且可操作用于：从主机装置接收命令以从非易失性存储器的存储器地址读取数据，存储器地址与易失性存储器的存储体中的一组存储器单元相关联；确定易失性存储器的存储体中的一组存储器单元的存储信息；以及从易失性存储器或非易失性存储器，并且至少部分基于一组存储器单元的存储信息，将数据传送到接口控制器中的缓冲器，缓冲器具有对应于易失性存储器的页面大小的存储容量。

描述了一种设备。该设备可以包括非易失性存储器；包含存储体的易失性存储器；以及接口控制器。接口控制器可以包含：第一缓冲器，第一缓冲器与易失性存储器的存储体耦合，第一缓冲器具有对应于易失性存储器的页面大小的容量并且配置为存储由访问命令指示的数据；以及第二缓冲器，第二缓冲器与易失性存储器的存储体耦合，第二缓冲器具有对应于易失性存储器的页面大小的容量，并且配置为存储用于在易失性存储器和非易失性存储器之间传送的数据。