[发明专利]显示设备在审
| 申请号: | 202110682824.1 | 申请日: | 2021-06-18 |
| 公开(公告)号: | CN113823663A | 公开(公告)日: | 2021-12-21 |
| 发明(设计)人: | 严累利;金美海;金旼正;朴亨埈;安俊勇 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩芳;陈宇 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 设备 | ||
提供了一种显示设备。所述显示设备包括:基底;第一像素电路,在基底上,并且包括第一驱动薄膜晶体管和电连接到第一驱动薄膜晶体管的第一存储电容器;第二像素电路,与第一像素电路相邻,并且包括第二驱动薄膜晶体管和电连接到第二驱动薄膜晶体管的第二存储电容器;第一初始化电压线,电连接到第一像素电路和第二像素电路;第二初始化电压线,电连接到第一初始化电压线;以及驱动电压线,在第一像素电路与第二像素电路之间,其中,第一驱动薄膜晶体管的沟道区或第二驱动薄膜晶体管的沟道区在第二初始化电压线与驱动电压线之间。
本申请要求于2020年6月18日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0074445号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的公开内容通过引用被完全包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例的方面涉及一种显示设备。
背景技术
在显示设备之中,有机发光显示设备具有许多益处(诸如相对宽的视角、相对好的对比度和相对高的响应速度),因此,有机发光显示设备作为下一代显示设备已经引起关注。
通常,有机发光显示设备包括在基底上的薄膜晶体管和有机发光器件,其中,有机发光器件发光。有机发光显示设备可以用作诸如蜂窝电话等的相对小尺寸产品的显示装置或诸如电视等的大尺寸产品的显示装置。
有机发光显示设备包括能够使有机发光显示设备操作的薄膜晶体管、电容器等。薄膜晶体管可以包括半导体层和栅电极,半导体层包括沟道区、源区和漏区,栅电极经由栅极绝缘层与半导体层电绝缘。
在本背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对背景技术的理解,因此在本背景技术部分中讨论的信息不一定构成现有技术。
发明内容
一个或更多个示例实施例的方面涉及一种显示设备,其中,改善了可能由于电压线(例如,初始化电压线)而发生的亮度差。然而,该特性是示例,并且根据本公开的实施例的范围不限于此。
附加方面将在下面的描述中部分地阐述,并且部分地将通过描述是清楚的,或者可以通过实践给出的公开的实施例来习得。
根据一个或更多个示例实施例,一种显示设备包括:基底;第一像素电路,在基底上,并且包括第一驱动薄膜晶体管和电连接到第一驱动薄膜晶体管的第一存储电容器;第二像素电路,与第一像素电路相邻,并且包括第二驱动薄膜晶体管和电连接到第二驱动薄膜晶体管的第二存储电容器;第一初始化电压线,电连接到第一像素电路和第二像素电路,并且在第一方向上延伸;第二初始化电压线,电连接到第一初始化电压线,并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸;以及驱动电压线,在第一像素电路与第二像素电路之间在第二方向上延伸,其中,第一驱动薄膜晶体管的沟道区或第二驱动薄膜晶体管的沟道区在第二初始化电压线与驱动电压线之间。
根据一些示例实施例,第一像素电路还可以包括电连接到驱动电压线的第一操作控制薄膜晶体管,第二像素电路还可以包括电连接到驱动电压线的第二操作控制薄膜晶体管,并且第一操作控制薄膜晶体管和第二操作控制薄膜晶体管可以相对于在第一像素电路与第二像素电路之间穿过的虚拟轴而不对称。
根据一些示例实施例,第一操作控制薄膜晶体管的半导体层可以通过第一连接电极电连接到驱动电压线。
根据一些示例实施例,第一连接电极可以包括:第1-1连接电极,与第一存储电容器的电极中的任何一个电极的一部分对应,并且接触驱动电压线;以及第1-2连接电极,接触第1-1连接电极和第一操作控制薄膜晶体管的半导体层。
根据一些示例实施例,第一像素电路还可以包括电连接到第一驱动薄膜晶体管的第一补偿薄膜晶体管,并且第一补偿薄膜晶体管的半导体层的一部分可以与电连接到驱动电压线的屏蔽电极叠置。
根据一些示例实施例,第二像素电路还可以包括电连接到第二驱动薄膜晶体管的第二补偿薄膜晶体管,并且第二补偿薄膜晶体管的半导体层的一部分可以与电连接到第二初始化电压线的屏蔽电极叠置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





