[发明专利]差动放大电路

权利要求书

1.一种差动放大电路，具备：

第1以及第2放大器，输出高频频带的差动信号；

第1电感器，一端与所述第1放大器的输出端连接；

第2电感器，一端与所述第2放大器的输出端连接，所述第1电感器的另一端与所述第2电感器的另一端连接；

扼流电感器，与所述第1电感器以及所述第2电感器的另一端连接；

第1电容器，一端与所述第1以及第2电感器的另一端连接，另一端与基准电位连接；

第2电容器；以及

开关，对所述第1电容器并联连接所述第2电容器或解除并联连接，

所述第1电感器或所述第2电感器与所述第1电容器的串联连接所构成的谐振电路的第1谐振频率、和所述第1电感器或所述第2电感器与并联连接的所述第1电容器以及所述第2电容器的串联连接所构成的谐振电路的第2谐振频率相互不同，

所述第1以及第2谐振频率相当于所述差动信号的二次谐波的频率。

2.根据权利要求1所述的差动放大电路，其中，

所述差动放大电路还包含具有电磁耦合的初级绕组以及次级绕组并进行平衡-不平衡变换的变压器，使用所述变压器的初级绕组实现所述第1电感器以及所述第2电感器，所述第1以及第2电感器的另一端相当于所述初级绕组的中点。

3.根据权利要求1所述的差动放大电路，其中，

所述差动放大电路还包含具有电磁耦合的初级绕组以及次级绕组并进行平衡-不平衡变换的变压器，所述第1电感器以及所述第2电感器与所述变压器的初级绕组并联地连接。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的差动放大电路，其中，

所述差动放大电路具备：

第1串联谐振电路，一端与所述第1放大器的输出端连接，另一端与基准电位连接；以及

第2串联谐振电路，一端与所述第2放大器的输出端连接，另一端与基准电位连接，

所述第1以及第2串联谐振电路分别具备串联连接的电感器和电容器，所述第1串联谐振电路以及所述第2串联谐振电路的谐振频率与所述第1以及第2谐振频率不同。

5.一种差动放大电路，具备：

第1以及第2放大器，输出高频频带的差动信号；

第1电感器，一端与所述第1放大器的输出端连接；

第2电感器，一端与所述第2放大器的输出端连接，所述第1电感器的另一端与所述第2电感器的另一端连接；

扼流电感器，与所述第1电感器以及所述第2电感器的另一端连接；

第1电容器，一端与所述第1以及第2电感器的另一端连接，另一端与基准电位连接；

第1串联谐振电路，一端与所述第1放大器的输出端连接，另一端与基准电位连接；以及

第2串联谐振电路，一端与所述第2放大器的输出端连接，另一端与基准电位连接，

所述第1以及第2串联谐振电路分别具备串联连接的电感器和电容器，

所述第1电感器或所述第2电感器与所述第1电容器的串联连接所构成的谐振电路的第1谐振频率、与所述第1以及第2串联谐振电路的第2谐振频率相互不同，所述第1以及第2谐振频率相当于所述差动信号的二次谐波的频率。

6.根据权利要求4或5所述的差动放大电路，其中，

所述第1放大器、所述第2放大器、所述第1以及第2串联谐振电路设置在相同的半导体芯片。

7.根据权利要求5所述的差动放大电路，其中，

所述差动放大电路还具备：

第2电容器；以及

开关，对所述第1电容器并联连接所述第2电容器或解除并联连接。

8.一种差动放大电路，具备：

第1以及第2放大器，输出高频频带的差动信号；

第1电感器，一端与所述第1放大器的输出端连接；

第2电感器，一端与所述第2放大器的输出端连接，所述第1电感器的另一端与所述第2电感器的另一端连接；

扼流电感器，与所述第1电感器以及所述第2电感器的另一端连接；

第3电感器，相对于所述第1电感器以及所述第2电感器并联地设置，一端与所述第1放大器的输出端连接且另一端与所述第2放大器的输出端连接；以及

第1电容器，一端与所述第3电感器的中点连接，另一端与基准电位连接，

使用变压器的初级绕组实现所述第1电感器以及所述第2电感器，其中，所述变压器具有电磁耦合的初级绕组以及次级绕组，进行平衡-不平衡变换，

具备所述第3电感器的一半和所述第1电容器所构成的串联谐振电路。