[发明专利]玻璃光罩及其制造方法

说明书

本发明公开了一种玻璃光罩及其制造方法，该玻璃光罩的制造方法可包括：提供匀胶铬板，匀胶铬板包括依次层叠设置的玻璃基板、铬层、氧化铬层以及光刻胶层，玻璃基板具有第一区域和与第一区域连接的第二区域；去除覆盖在第一区域上的光刻胶层；蚀刻去除覆盖在第一区域上的氧化铬层与铬层；去除覆盖在第二区域上的光刻胶层；蚀刻去除覆盖在第二区域上的氧化铬层，得到玻璃光罩。从而铬层形成玻璃光罩的遮光区域的表面，以使玻璃光罩的遮光区域的表面对光的反射性高。本发明提供的玻璃光罩的制造方法通过对匀胶铬板进行两次蚀刻，实现了使用具有低反射性的氧化铬膜层的匀胶铬板，生产遮光区域的表面具有高反射性的玻璃光罩，生产成本低。

技术领域

本发明涉及玻璃光罩的制造技术领域，尤其涉及一种玻璃光罩及其制造方法。

背景技术

目前市面上的玻璃光罩的表面的遮光区域往往具有低反射的特性。所以，行业内常用的用于生产玻璃光罩的原料(如匀胶铬板)均具有表面呈低反射性的膜层(如氧化铬膜层)。然而，在对半导体进行光刻的过程中，通过玻璃光罩的遮光区域对半导体的部分区域进行遮光时，需要利用设备的电荷耦合器件(charge-coupled device，CCD)通过玻璃光罩的表面光自动捕捉对位标记，以自动对玻璃光罩进行对位，从而提高半导体的生产的自动化程度。然而，具有低反射特性的膜层的玻璃光罩由于表面对光的反射能力较弱，无法反射足量的光线至电荷耦合器件处，从而导致设备无法通过电耦合器件对玻璃光罩进行自动对位。

发明内容

本发明实施例公开了一种玻璃光罩及其制造方法，能够使用现有的表面具有低反射性能的玻璃光罩的生产原料来制造表面具有高反射性能的玻璃光罩。

为了实现上述目的，第一方面，本发明公开了一种玻璃光罩的制造方法，包括以下步骤：提供匀胶铬板，所述匀胶铬板包括依次层叠设置的玻璃基板、铬层、氧化铬层以及光刻胶层，所述玻璃基板具有第一区域和与所述第一区域连接的第二区域；

去除覆盖在所述第一区域上的所述光刻胶层，以暴露覆盖在所述第一区域上的所述氧化铬层；

蚀刻去除覆盖在所述第一区域上的所述氧化铬层与所述铬层，以暴露所述第一区域；

去除覆盖在所述第二区域上的所述光刻胶层，以暴露覆盖在所述第二区域上的所述氧化铬层；

蚀刻去除覆盖在所述第二区域上的所述氧化铬层，以暴露覆盖在所述第二区域上的所述铬层，得到玻璃光罩。

作为一种可选的实施方式，在本申请第一方面的实施例中，所述去除覆盖在所述第一区域上的所述光刻胶层，以暴露覆盖在所述第一区域上的所述氧化铬层，包括：

提供光刻机，通过所述光刻机照射覆盖在所述第一区域或所述第二区域上的所述光刻胶层；

显影去除覆盖在所述第一区域上的所述光刻胶层，以暴露覆盖在所述第一区域上的所述氧化铬层。

作为一种可选的实施方式，在本申请第一方面的实施例中，所述蚀刻去除覆盖在所述第一区域上的所述氧化铬层与所述铬层，以暴露所述第一区域，包括：

提供蚀刻液，使用所述蚀刻液对所述匀胶铬板进行第一次浸泡，以溶解去除覆盖在所述第一区域上的所述氧化铬层与所述铬层，以暴露所述第一区域；

将所述匀胶铬板从所述蚀刻液中取出，清洗以去除附着在所述匀胶铬板的表面的所述蚀刻液；

其中，所述第一次浸泡的时长为t1，43s≤t1≤53s。

作为一种可选的实施方式，在本申请第一方面的实施例中，在所述去除覆盖在所述第二区域上的所述光刻胶层，以暴露覆盖在所述第二区域上的所述氧化铬层之后，所述玻璃光罩的制造方法还包括：

清洗以去除附着在所述匀胶铬板的表面的杂质以及残留的所述光刻胶层。