[发明专利]IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法及IPS型TFT-LCD阵列基板

说明书

本申请公开了一种IPS型TFT‑LCD阵列基板的制作方法，包括如下步骤：提供TFT基板，其包括衬底、形成在衬底上的TFT阵列、及形成在TFT阵列上平坦层；在平坦层上形成公共电极；在所述公共电极及所述平坦层上形成绝缘膜；将形成有公共电极及绝缘膜的TFT基板置于反应室中，向反应室中通入成膜气体SiHsubgt;4/subgt;及Nsubgt;2/subgt;O，形成氧化硅层；在所述氧化硅层上形成像素电极。本申请的制作方法中，在公共电极及平坦层上形成绝缘膜之后，再在绝缘膜上形成氧化硅层，如此，在形成氧化硅层时，平坦层可以通过绝缘膜与成膜气体隔绝，如此，可以避免成膜气体与平坦层接触，从而避免平坦层被刻蚀。另，本申请还公开了一种由所述方法制得的IPS型TFT‑LCD阵列基板。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法及由所述方法制得的IPS型TFT-LCD阵列基板。

背景技术

随着显示技术的发展，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film TransistorLiquidCrystal Display，TFT-LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。

目前主流市场上的TFT-LCD，就液晶的驱动模式而言，可分为三种类型，分别是扭曲向列(Twisted Nematic，TN)或超扭曲向列(Super Twisted Nematic，STN)型，面内转换(In-Plane Switching，IPS)型、及垂直配向(Vertical Alignment，VA)型。其中，IPS型TFT-LCD是利用与基板面大致平行的电场驱动液晶分子沿基板面内转动以响应的模式，具有可视角范围大、影像真实、色彩表现力丰富等优势，而被广泛应用在电脑屏幕、电竞屏幕等领域。

IPS显示屏幕的TFT基板的像素单元一般包括基板，栅极，栅极绝缘层，有源层，源极，漏极，形成于所述源极、漏极、有源层及栅极绝缘层上的平坦层，形成于所述平坦层上的公共电极，形成在所述公共电极及所述平坦层上的钝化层，及形成在所述钝化层上的像素电极。在TFT制备过程中，所述钝化层一般采用氧化硅层，并采用CVD(化学气相沉积)的方式制备。但是，形成氧化硅层的组分气体中的氧化物N₂O会和平坦层中的亚克力发生氧化还原反应，生成CO₂，造成平坦层的刻蚀，导致平坦层的表面平整度降低，甚至断裂，进而影响IPS显示屏幕的性能。

发明内容

有鉴于此，本申请提供一种IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法，旨在解决现有的IPS型TFT-LCD阵列基板的制作过程中存在的平坦层刻蚀的问题。

本申请实施例是这样实现的，一种IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法，包括如下步骤：

提供TFT基板，其包括衬底、形成在衬底上的TFT阵列、及形成在TFT阵列上平坦层；

在所述平坦层上形成公共电极；

在所述公共电极及所述平坦层上形成绝缘膜；

将所述形成有公共电极及绝缘膜的TFT基板置于反应室中，向反应室中通入成膜气体SiH₄及N₂O，形成氧化硅层；

在所述氧化硅层上形成像素电极。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述SiH₄的气体流量为100-1000ml/min，N₂O的气体流量为5000-40000ml/min。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述平坦层中包含亚克力。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述绝缘膜为无机绝缘膜或有机绝缘膜。