[发明专利]镀膜方法、芯片基板及芯片

权利要求书

1.一种镀膜方法，其特征在于，所述方法包括：

将待镀膜的基板固定在基座上，所述基板上开设有孔；

调整所述基座，以使得所述基板所在平面与镀膜材料的沉积方向之间的夹角大于0度且小于90度；

控制所述基板绕法线转动；

在所述基板转动的过程中，控制所述镀膜材料沿所述沉积方向进入所述孔内并沉积在所述孔的侧壁上。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述孔为通孔或盲孔。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述孔为圆形孔，或多边形孔，或倒角多边形孔，或不规则图形孔。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

在所述孔为所述圆形孔的情况下，所述孔的深宽比为所述孔的深度与所述孔的直径的比值；或者，

在所述孔为所述多边形孔或所述倒角多边形孔或所述不规则图形孔的情况下，所述孔的深宽比为所述孔的深度与所述孔的截面的最大对角线长度的比值。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述夹角为θ+δθ，其中θ基于所述孔的深宽比确定，δθ为可调整角度。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，θ＝arctan(D/L)，其中D为所述孔的深度，L为所述孔的宽度。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述孔为通孔的情况下，θ＝arctan(D/2L)，其中D为所述孔的深度，L为所述孔的宽度。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述基板的一面镀膜完成之后，翻转所述基板，以对所述基板的另一面进行镀膜。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述基板上开设有多个所述孔的情况下，所述夹角基于多个所述孔中的目标孔的深宽比确定，所述目标孔是深宽比最大的孔。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述镀膜材料的沉积方法为物理气相沉积方法。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述控制所述镀膜材料沿所述沉积方向进入所述孔内并沉积在所述孔的侧壁上之后，还包括：

在所述基板的表面涂敷光刻胶，形成第一光刻胶层；

对所述第一光刻胶层进行曝光，形成曝光后的第一光刻胶层；其中，所述基板上由所述镀膜材料沉积形成的薄膜，被所述曝光后的第一光刻胶层覆盖的区域为元器件结构区域；

对所述薄膜上未被所述曝光后的第一光刻胶层覆盖的区域进行刻蚀，保留所述薄膜上被所述曝光后的第一光刻胶层覆盖的区域，形成元器件结构；

去除所述曝光后的光刻胶层。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在镀膜之前，在所述基板的表面涂敷光刻胶，形成第二光刻胶层；

对所述第二光刻胶层进行曝光，形成曝光后的第二光刻胶层；其中，所述基板的表面未被所述曝光后的第二光刻胶层覆盖的区域，为元器件结构区域；

对带有所述曝光后的第二光刻胶层的基板进行镀膜，在所述元器件结构区域形成元器件结构；

去除所述曝光后的第二光刻胶层以及附着在所述曝光后的第二光刻胶层上的镀膜材料。

13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基板为超导量子芯片的基板，且所述镀膜材料为超导材料。

14.一种芯片基板，其特征在于，所述芯片基板采用如权利要求1至13任一项所述的镀膜方法进行镀膜。

15.一种芯片，其特征在于，所述芯片的基板采用如权利要求1至13任一项所述的镀膜方法进行镀膜。