[发明专利]基于异质结的高效光电探测器的异质结的制备方法有效
| 申请号： | 202110666969.2 | 申请日： | 2021-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN113406164B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 徐新龙;罗铭威;周译玄;黄媛媛;卢春辉;刘玉琪;韩涛涛 | 申请（专利权）人： | 西北大学 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30 |
| 代理公司： | 重庆萃智邦成专利代理事务所(普通合伙) 50231 | 代理人： | 许攀 |
| 地址： | 710127 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 异质结 高效 光电 探测器 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于异质结的高效光电探测器的异质结的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
在石英管内部的设置铋系列化合物和基底；
使用真空泵将石英管内的压强抽至100Pa以下；
将所述石英管内所述铋系列化合物对应的区域加热到预设第一温度，并使用氩气从所述铋系列化合物方向吹向所述基底位置，在所述基底上沉积得到铋系列化合物薄膜，所述预设第一温度450℃～550℃；
将SnCl4·5H2O和硫粉依次设置在所述石英管内部的所述基底的一侧；
使用真空泵将石英管内的压强抽至100Pa以下；
将所述石英管加热到预设第二温度，使用氩气从所述硫粉方向向所述铋系列化合物基底方向通气，使得所述基底上的所述铋系列化合物薄膜表面沉积形成二硫化锡结构，所述预设第二温度为200℃～450℃。
2.根据权利要求1所述的基于异质结的高效光电探测器的异质结的制备方法，其特征在于，所述在石英管内部的设置铋系列化合物和基底的步骤之后还包括：
使用氩气从所述铋系列化合物方向吹向所述基底位置吹5分钟。
3.根据权利要求2所述的基于异质结的高效光电探测器的异质结的制备方法，其特征在于，所述将SnCl4·5H2O和硫粉依次设置在所述石英管内部的所述基底的一侧的步骤之后还包括：
使用氩气从所述硫粉方向向所述铋系列化合物基底方向通气5分钟。
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