[发明专利]量测设备的调节或基于已测量目标的特性而由量测设备进行的测量

说明书

本文披露了一种调节量测设备的方法，所述方法包括：将量测设备的光瞳平面中的强度分布在空间上划分成多个像素；通过使用计算机调节所述多个像素的强度，减少目标中的结构不对称性对由所述量测设备对所述目标进行的测量的影响。

本申请是国际申请PCT/EP2016/079105于2016年11月29日进入中国国家阶段、申请号为201680081810.1的发明申请的分案申请。

相关申请的交叉引用

本申请要求2015年12月17日递交的美国申请62/268,974的优先权，该美国申请的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本公开涉及基于已测量目标的特性在电子器件处理中进行的量测的调节。

背景技术

光刻设备是将所需图案施加到衬底上(通常是衬底的目标部分上)的机器。例如，可以将光刻设备用于制造集成电路(IC)。在这种情况下，可以将可替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成要在集成电路的单层上形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括管芯的一部分、一个或更多个管芯)上。通常，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行图案的转移。通常，单个衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括所谓的步进器和所谓的扫描器；在所述步进器中，通过将全部图案一次曝光到目标部分上来辐射每一个目标部分；在扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。另外，能够通过将图案压印到衬底上来将图案从图案形成装置转移到衬底上。

在光刻过程中，经常期望对所产生的结构进行测量，例如用于过程控制和验证。已知用于进行这种测量的各种工具，包括通常用于测量临界尺寸(CD)的扫描电子显微镜(SEM)和用于测量光刻设备的重叠(器件中的两个层的对准精确度)的专用工具。近来，已经开发出供光刻领域中使用的各种形式的散射计。这些器件将辐射束引导到目标上并且测量散射辐射的一个或更多个属性—例如在单个反射角下作为波长的函数的强度、在一种或更多种波长下作为反射角的函数的强度、或者作为反射角的函数的偏振，以获得“光谱”—可以根据该“光谱”确定目标的感兴趣的属性。可以利用各种技术执行感兴趣的属性的确认，例如通过诸如严格耦合波分析(RWCA)或有限元方法、库搜索和主成分分析等迭代方法来重建目标。

常规散射计所使用的目标相对大(例如40μm×40μm)，光栅和测量束产生比光栅小的光斑(即，光栅未被充满)。这简化了目标的数学重建，这是因为它可以被认为是无限的。然而，为了将目标的尺寸减小到例如10μm×10μm或更小，可以将它们定位在产品特征中，而不是在划线中；已经提出了光栅被制成比测量斑小(即，光栅被过填充)的量测术。通常，这样的目标被使用暗场散射测量术来测量，其中，衍射的第零阶(对应于镜面反射)被阻挡，并且仅处理高阶。

使用一阶衍射阶的暗场检测进行的基于衍射的重叠(DBO)能够实现对较小目标的重叠测量。这些目标可以小于照射斑并且可以由晶片上的产品结构环绕。可以在一个图像中量测多个目标。在已知量测技术中，通过在某些条件下量测目标两次，同时使目标旋转或改变照射模式或成像模式，以分离地获得-1阶衍射阶强度和+1阶衍射强度来获得重叠测量结果。针对给定光栅而比较这些强度，由此提供该光栅中的不对称性的测量。

一种用于改善测量精确度的方法是：在与已知照射模式和其他程序约束兼容的重叠量测目标的设计阶段处的更好的控制，从而通过设计而最小化该目标中的结构不对称性。本公开解决了如下可替代的方法：其中，即使在目标中存在结构不对称性，照射也受控制以抵消重叠测量中的不对称性的影响。换句话说，通过利用在根据本公开的实施例而重新配置照射而非改变目标设计时的灵活性来改善测量精确度。

发明内容

本文披露了一种调节量测设备的方法，所述方法包括：将所述量测设备的光瞳平面中的强度分布在空间上划分成多个像素；通过使用计算机调节所述多个像素的强度，减少目标中的结构不对称性对由所述量测设备对所述目标进行的测量的影响。

本文披露了一种调节量测设备的方法，所述方法包括：基于目标的特性来调节所述量测设备的参数或由所述量测设备对所述目标进行的测量的参数。