[发明专利]上转换微透镜及其制备方法

权利要求书

1.一种上转换微透镜的制备方法，包括：

利用上转换发光材料和固化胶配制上转换微透镜前驱体溶液；以及

将所述上转换微透镜前驱体溶液通过喷墨打印或光刻转移到基底上，形成上转换微透镜。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述上转换发光材料包括：离子掺杂上转换材料、上转换发光量子点材料和基于三重态-三重态湮灭上转换发光机理的上转换发光材料。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其中，所述离子掺杂上转换材料包括：将敏化剂离子和发光中心离子掺入到基质中，制备得到的核-壳结构或非核-壳结构的上转换发光材料。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其中，所述敏化剂离子包括：Yb³⁺、Ce³⁺和Gd³⁺；所述发光中心离子包括：Er³⁺、Tm³⁺、Nd³⁺、Ho³⁺、Eu³⁺、Tb³⁺、Mn²⁺、Cr²⁺和Ru³⁺；所述基质包括：无机氧化物、无机氟化物、具有核-壳结构的无机纳米粒子、无机氧化物核-壳纳米粒子和多组分的无机玻璃。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其中，所述无机氧化物包括：RE₂O₃、MgO、CaO、ZnO、TiO₂和SiO₂，其中，RE为Y、Sc或镧系元素；所述无机氟化物包括：REF₃和MREF_x，其中，M为Li、Na、K或Ba，x＝4或5；所述多组分的无机玻璃包括：硅酸盐玻璃、磷酸盐玻璃和碲酸盐玻璃。

6.根据权利要求2所述的制备方法，其中，所述上转换发光量子点材料包括：ZnTe/CdS/CdSe、CuInS₂/CdS/CdSe、Cu₂S/CdS/CdSe、CdSe/CdS/AgS、CdSe/CdS/CuInSe、CdSe/CdS/PbS、CuInS₂/ZnSe/CuInSe₂、ZnSe/ZnTe/CuInSe₂、CdTe/ZnTe/CuInSe₂、PbSe/CdS/CdSe和PbS/CdS/CdSe。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述上转换发光材料在所述上转换微透镜中的含量为1wt％～90wt％。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述固化胶包括光固化胶和热固化胶，其是从包括胺类固化剂和树脂类固化剂的组中选择的一种。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述基底包括：刚性基底、柔性基底和功能基底，其中，所述刚性基底包括：石英、蓝宝石、玻璃和硅片，所述柔性基底包括：聚酯、聚乙烯醇、聚酰亚胺、聚萘二甲酯乙二醇酯和聚二甲基硅氧烷，所述功能基底包括：太阳能电池、太阳能聚光器、CCD、CMOS探测器、LED、microLED和MiniLED面板。

10.一种上转换微透镜，其是利用根据权利要求1-9中的任一项所述的制备方法制得的。