[发明专利]利用永磁体提高磁电耦合器件的磁电耦合系数的方法在审
| 申请号： | 202110647524.X | 申请日： | 2021-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN113380943A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 任豪;牛云平 | 申请（专利权）人： | 上海科技大学 |
| 主分类号： | H01L41/12 | 分类号： | H01L41/12;H01L41/18;H01L41/20;H01L41/06;H01L41/47 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 徐俊;徐颖 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 永磁体 提高 磁电 耦合 器件 系数 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种利用永磁体提高磁电耦合器件的磁电耦合系数的方法，包括由磁致伸缩材料和压电材料所构成的复合结构磁电耦合器件，其特征在于，根据交变的磁场在磁电耦合器件产生幅值最大的交变电压时的磁场，在磁电耦合器件周围设计提供直流偏置磁场的永磁体分布位置，使得磁电耦合器件工作在最佳直流偏置磁场中。
2.根据权利要求1所述利用永磁体提高磁电耦合器件的磁电耦合系数的方法，其特征在于，所述永磁体置于磁致伸缩材料远离压电材料的一面，或者数个永磁体在整个磁电耦合器件周围等弧长阵列环绕安放，提供直流偏置磁场。
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