[发明专利]一种硅基OLED微显示器件及其制造工艺

说明书

本发明揭示了一种硅基OLED微显示器件，主要采用图案化的微透镜阵列，作为OLED器件封装层的一部分或者在远离发光层的一侧制备微透镜阵列，以达到降低硅基OLED微显示屏的表面反射率的目的。本发明在目前已有的硅基OLED微显示屏制造过程中，仅增加一道制程工艺，具有工艺简单，可明显提升性能等特点。

技术领域

本发明涉及于有机电致发光器件领域，尤其涉及硅基微显示屏的微透镜技术。

背景技术

OLED(Organic Light Emitting，有机发光二极管)具有自发光，低功耗，全固态，视角广，高色域，响应时间短等诸多优点，被广泛应用于显示屏制造行业，被认为是极具潜力的下一代显示技术。硅基OLED微显示器是一种将主动型发光OLED制作在硅基CMOS驱动电路基板上的一种新型显示技术，被称为下一代显示技术的黑马。硅基OLED微显示器兼具体积小，重量轻，高分辨率，高亮度，高精度等优势，可广泛应用于头盔、枪瞄，夜视仪中，在AR/VR等近眼显示器的应用前景也非常广阔。

常规的硅基OLED微显示器件结构主要包含硅基CMOS驱动电路、OLED发光结构，薄膜封装结构、盖板玻璃等结构；其中OLED发光结构包含阳极金属材料，OLED发光材料和阴极金属材料；阳极金属和阴极金属给OLED发光材料提供发光所需要的驱动电压，OLED发光材料发出的光透过阴极、薄膜封装和盖板玻璃，完成显示的效果。作为顶发射器件，需要阴极为透明材料，阴极给OLED发光器件提供驱动电压，为确保OLED发光的均一性，需要阴极材料的电阻尽可能的小。目前常用的阴极材料有Ag和Mg/Ag合金，Ag或者Mg/Ag合金的厚度在纳米量级时，表现为高透过率的透明材料。但是Ag或者Mg/Ag合金，作为金属材料，仍具有部分金属特性，即较高的反射率。因此，以上结构的硅基OLED微显示器件，在较强的环境光氛围下，会表现出一定的反射特性，从而影响其显示效果。

OLED的发光层发射出的光经过多层有机材料的吸收和反射后，会产生表面等离子模态损失，波导模态损失，基低模态损失，金属损失等，OLED发光层发射出的光在不同层产生的各种损失导致出光率降低，尤其是单色产品，这种现象会更加严重。鉴于上述问题，有必要提供一种新的硅基微显示屏的制备方法，以解决上述问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是实现一种硅基OLED微显示器件及其制造工艺，以减少光线发生全反射的机会，降低由波导效应带来的光吸收损失，从而提高OLED显示屏的显示品质。

为了实现上述目的，本发明采用的技术方案为：一种硅基OLED微显示器件，包括硅基CMOS驱动电路基板，以及依次制作在硅基CMOS驱动电路基板上的发光层、薄膜封装层、盖板玻璃，还设有微透镜阵列层，所述微透镜阵列层位于薄膜封装层远离发光层一侧，或者位于薄膜封装层内作为薄膜封装层的一部分。

所述薄膜封装层和盖板玻璃之间还设有平坦化层和OCR层，所述OCR层接触盖板玻璃，所述薄膜封装层和发光层之间设有共阴极。

所述微透镜阵列的折射率n值介于1.1-1.4之间。

所述微透镜阵列层的材料为SiO、SiN、氟化镁、二氧化钛、A_l2O₃中的一种或多种组合。

所述微透镜阵列层为单层膜结构，或者为多层膜结构堆叠构成(微透镜阵列层是以单层或者多层减反射材料做成的)。

所述微透镜阵列层的厚度在50nm～200nm之间。

一种所述硅基OLED微显示器件的制作工艺：

步骤1、将硅基CMOS驱动电路基板清洗干净后烘干；

步骤2、在硅基CMOS驱动电路基板上蒸镀有机材料和阴极金属材料；

步骤3、将蒸镀有有机材料和阴极金属材料的基板传递至薄膜封装设备，进行有机和无机薄膜封装；