[发明专利]一种N、S共掺杂的碳间层制备方法在审
申请号: | 202110634472.2 | 申请日: | 2021-06-08 |
公开(公告)号: | CN113582154A | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 曲婕;丁明珍;张涛 | 申请(专利权)人: | 湖南师范大学 |
主分类号: | C01B32/05 | 分类号: | C01B32/05;H01M4/62 |
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地址: | 410006 湖南省长*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 掺杂 间层 制备 方法 | ||
1.一种N、S共掺杂的碳间层制备方法,其特征在于:将前驱体和掺杂剂溶解在适量溶剂中,加热搅拌数小时,配置成前驱溶液;将上述溶液在室温下进行静电纺丝,空气中固化后,惰性气体氛围下煅烧制得N、S共掺杂的碳间层。
2.根据权利要求1所述的一种N、S共掺杂的碳间层制备方法,其特征在于:所述前驱体包括但不限于聚丙烯腈(PAN),聚苯乙烯(PS),聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA),聚氨酯(PU),聚乙烯醇(PVA),聚氧化乙烯(PEO),聚乳酸(PLA),聚己内脂(PCL),聚偏氟乙烯(PVDF)等其中的一种或几种;所述溶剂包括但不限于N,N-二甲基甲酰胺(DMF)、二甲基亚砜(DMSO)、二氧六环、氯仿、二氯甲烷、丙酮、无水乙醇、去离子水等其中的一种或几种。
3.根据权利要求1所述的一种N、S共掺杂的碳间层制备方法,其特征在于:所述掺杂剂分为氮掺杂剂和硫掺杂剂,其中氮掺杂剂包括但不限于三聚氰胺等;硫掺杂剂包括但不限于硫脲、苄硫醇、硫代乙酰胺、L-半胱氨酸等。
4.根据权利要求1所述的一种N、S共掺杂的碳间层制备方法,其特征在于:所述前驱体和溶剂的质量比为0.01-0.1。
5.据权利要求1所述的一种N、S共掺杂的碳间层制备方法,其特征在于:所述前驱体和掺杂剂的质量比为0.1-10,其中氮掺杂剂和硫掺杂剂的质量比为20:0-0:10。
6.根据权利要求1所述的一种N、S共掺杂的碳间层制备方法,其特征在于:所述搅拌时间为1-20h,搅拌温度为20-120℃。
7.根据权利要求1所述的一种N、S共掺杂的碳间层制备方法,其特征在于:所述静电纺丝的工艺参数为电压8-30kV,接收距离6-25cm。
8.根据权利要求1所述的一种N、S共掺杂的碳间层制备方法,其特征在于:所述空气中固化时间为0.5-5h,固化温度为90-350℃。
9.根据权利要求1所述的一种N、S共掺杂的碳间层制备方法,其特征在于:所述烧结时间为0.5-5h,烧结温度为300-850℃,惰性气氛包括但不仅限于氮气、氩气等。
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