[发明专利]活性物质、电池以及它们的制造方法在审

专利信息
申请号: 202110617432.7 申请日: 2021-05-28
公开(公告)号: CN113764649A 公开(公告)日: 2021-12-07
发明(设计)人: 铃木一裕;吉田淳 申请(专利权)人: 丰田自动车株式会社
主分类号: H01M4/38 分类号: H01M4/38;H01M4/40;H01M4/46;H01M10/0525;H01M10/058;C01F7/00
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 刘航;王潇悦
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 活性 物质 电池 以及 它们 制造 方法
【说明书】:

作为课题,本公开的主要目的是提供由充放电引起的体积变化小的活性物质。在本公开中,通过提供下述活性物质来解决上述课题。所述活性物质,至少含有Si和Al,具有硅包合物型的结晶相,且所述Al相对于所述Si与所述Al的合计的比例为0.1原子%以上且1原子%以下。

技术领域

本公开涉及活性物质、电池以及它们的制造方法。

背景技术

近年来,电池的开发正在盛行。例如,在汽车产业界,电动汽车或者混合动力汽车中所用的电池的开发正在推进。另外,作为用于电池中的活性物质,已知Si。

例如,在专利文献1中公开了:作为锂离子电池的负极活性物质,按照计算,能够使用硅包合物。具体而言,作为硅包合物,公开了Si46和Si34

另外,在专利文献2中公开了一种电极活性物质材料,其含有包合物,所述包合物包含晶格和内包于该晶格中的客体物质。具体地公开了:客体物质包含选自Ba、Ca、Li之中的至少一种,晶格包含选自Ga、Al、In、Ag、Au、Cu、Ni、Co之中的至少一种和选自Si和Sn之中的至少一种。

另外,在非专利文献1中公开了一种具有I型的结晶相的三元系的硅包合物。

在先技术文献

专利文献

专利文献1:美国专利申请公开第2012/0021283号说明书

专利文献2:国际公开第2014/050100号

非专利文献

非专利文献1:Tiago F.T.Cerqueira et al.,Prediction and Synthesis of aNon-Zintl Silicon Clathrate,Chem.Mater.2016,28,3711-3717

发明内容

Si的理论容量大,对电池的高能量密度化有效。而另一方面,Si的由充放电引起的体积变化大。

本公开是鉴于上述实际情况而完成的,其主要目的是提供由充放电引起的体积变化小的活性物质。

为了解决上述课题,在本公开中,提供一种活性物质,其至少含有Si和Al,具有硅包合物型的结晶相,且上述Al相对于上述Si与上述Al的合计的比例为0.1原子%以上且1原子%以下。

根据本公开,由于活性物质具有硅包合物型的结晶相,所以能够减小由充放电引起的体积变化。而且,本公开中的活性物质,除了Si之外还含有Al,所以能够减小由充放电引起的体积变化。

在上述公开中,上述活性物质可以在一次粒子的内部具有空隙。

在上述公开中,上述空隙的空隙率可以为2%以上且15%以下。

在上述公开中,在上述活性物质中,作为上述硅包合物型的结晶相,可以具有硅包合物II型的结晶相。

另外,在本公开中,提供一种电池,其是具备正极层、负极层和形成于上述正极层和上述负极层之间的电解质层的电池,上述负极层含有上述的活性物质。

根据本公开,通过使用上述的活性物质,能够制成由充放电引起的体积变化小的电池。

另外,在本公开中,提供一种活性物质的制造方法,其包括:

准备津特耳(Zintl)化合物的准备工序,所述津特耳化合物含有Na、Si和Al,至少具有津特耳相,上述Al相对于上述Si与上述Al的合计的比例低于10原子%;从上述津特耳化合物除去上述Na,形成具有硅包合物型的结晶相的中间体的除去Na工序;和从上述中间体除去上述Al的除去Al工序。

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