[发明专利]活性物质、电池以及它们的制造方法

权利要求书

1.一种活性物质，

至少含有Si和Al，

具有硅包合物型的结晶相，

所述Al相对于所述Si与所述Al的合计的比例为0.1原子％以上且1原子％以下。

2.根据权利要求1所述的活性物质，

所述活性物质在一次粒子的内部具有空隙。

3.根据权利要求2所述的活性物质，

所述空隙的空隙率为2％以上且15％以下。

4.根据权利要求1～3的任一项所述的活性物质，

在所述活性物质中，作为所述硅包合物型的结晶相具有硅包合物II型的结晶相。

5.一种电池，是具有正极层、负极层以及形成于所述正极层和所述负极层之间的电解质层的电池，

所述负极层含有权利要求1～4的任一项所述的活性物质。

6.一种活性物质的制造方法，具有：

准备津特耳化合物的准备工序，所述津特耳化合物含有Na、Si和Al，至少具有津特耳相，且所述Al相对于所述Si与所述Al的合计的比例低于10原子％；

从所述津特耳化合物除去所述Na，形成具有硅包合物型的结晶相的中间体的除去Na工序；和

从所述中间体除去所述Al的除去Al工序。

7.根据权利要求6所述的活性物质的制造方法，

所述准备工序是对含有Na源、Si源和Al源的原料混合物进行热处理，来准备所述津特耳化合物的工序。

8.一种电池的制造方法，具有：

采用权利要求6或7所述的活性物质的制造方法制造活性物质的活性物质制造工序；和

使用所述活性物质来形成负极层的负极层形成工序。