[发明专利]一种激光器芯片的化合物外延生长的制造方法

说明书

本发明涉及芯片制造技术领域，且公开了一种激光器芯片的化合物外延生长的制造方法，包括调温机构、回收机构，所述调温机构包括连接块，所述连接块内部活动连接有限位滑杆，所述连接块远离限位滑杆的一侧活动连接有缓冲弹簧，所述连接块左侧固定连接有调节拨片，所述调节拨片远离连接块的一端活动连接有电阻片，所述电阻片外部固定连接有紧固架，通过温度经判断杆传导至传动腔内，从而拉动连接块在限位滑杆上滑动，在连接块滑动的过程中其会同时带动调节拨片在电阻片上滑动，使得施加在电热丝上的电压大小发生改变，如此便达到了在第一次外延生长时自动平衡原理温度防止出现导热不均匀致使质量问题的效果。

技术领域

本发明涉及芯片制造技术领域，具体为一种激光器芯片的化合物外延生长的制造方法。

背景技术

激光器是一种能够发射激光的装置，其发出的光质量纯净、光谱稳定可以在很多方面被应用，以DFB激光器为例，其具备有高速、窄线宽及动态单纵模工作特性，且其可在更宽的工作温度与工作电流范围内抑制普通FP激光器的模式跳变，故而DFB激光器在光通信领域得到了广泛的应用。

光通信用的DFB激光器芯片一般采用InP为生长衬底，且在制造时需要经过两次外延生长，两次外延生长分别制备光栅与形成接触层，激光器芯片的质量与使用效果受这两次外延生长的影响严重，而目前的激光器芯片良率并不高，外延片最外圈的材料质量较差，这是由于在外延生长过程中，用于生长激光器的磷化铟外延衬底在高温下背面易受砷气流的扩散影响，导致衬底导热不均匀造成的，并且在光栅制备的过程中光栅的腐蚀液也会对衬底造成一定程度的蚀刻，从而影响衬底的平整度，对二次外延生长造成影响。

于是，有鉴于此，针对现有的结构及缺失予以研究改良，提供一种激光器芯片的化合物外延生长的制造方法，以期达到更具有更加实用价值性的目的。

发明内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本发明提供了一种激光器芯片的化合物外延生长的制造方法，具备在第一次外延生长时自动平衡原理温度防止出现导热不均匀致使质量问题、在制备光栅时自动及时回收腐蚀液提高芯片质量优点，解决了传统的激光器芯片在制备光栅时衬底导热不均匀、光栅的腐蚀液会对衬底造成一定程度的蚀刻的问题。

(二)技术方案

为实现上述在第一次外延生长时自动平衡原理温度防止出现导热不均匀致使质量问题、在制备光栅时自动及时回收腐蚀液提高芯片质量目的，本发明提供如下技术方案：一种激光器芯片的化合物外延生长的制造方法，包括以下步骤：

S1.在使用时将原料放至在衬底架上，在第一次外延生长时，通过升高外部温度使得原料的温度升高；

S2.升高的温度经判断杆传导至导热球内，随后再经由导热球散发至传动腔内，此时传动腔内的温度上升压强增大，而导动塞与传动腔的内壁紧密贴合，故而此时的导动塞会受到一个向下的推力，这个推力经导动塞作用在复位弹簧上，并最终拉伸复位弹簧使其发生形变后推动加压杆运动，加压杆在运动的过程中会同时拉动推拉杆；

S3.推拉杆运动从而对连接块施加一个作用力，从而使得连接块有一个在限位滑杆上滑动的趋势，此时启动放温机构与调温机构的外部电源，这时推拉杆所施加的力会拉动连接块使其拉伸缓冲弹簧发生形变后在限位滑杆上滑动，在连接块滑动的过程中其会同时带动调节拨片在电阻片上滑动；

S4.由于调节拨片、电阻片、电热丝、电性块为串联，在调节拨片滑动后电阻片在电路内的阻值发生改变，从而使得施加在电热丝上的电压大小发生改变，进而改变电热丝的发热量，这时电热丝散发的热量会经过安装座传导至衬底架，并最终传导至原料；

S5.在判断机构的作用下，电热丝所散发的热量始终保持一个动态平衡，即原料温度降低时电热丝所散发的热量升高，反之原料温度升高时电热丝所散发的热量降低，从而确保原料所受到的热量均匀；