[发明专利]一种激光器芯片的化合物外延生长的制造方法

权利要求书

1.一种激光器芯片的化合物外延生长的制造方法，包括以下步骤，其特征在于：

S1.在使用时将原料放至在衬底架(1)上，在第一次外延生长时，通过升高外部温度使得原料的温度升高；

S2.升高的温度经判断杆(41)传导至导热球(42)内，随后再经由导热球(42)散发至传动腔(43)内，此时传动腔(43)内的温度上升压强增大，而导动塞(44)与传动腔(43)的内壁紧密贴合，故而此时的导动塞(44)会受到一个向下的推力，这个推力经导动塞(44)作用在复位弹簧(46)上，并最终拉伸复位弹簧(46)使其发生形变后推动加压杆(45)运动，加压杆(45)在运动的过程中会同时拉动推拉杆(47)；

S3.推拉杆(47)运动从而对连接块(61)施加一个作用力，从而使得连接块(61)有一个在限位滑杆(63)上滑动的趋势，此时启动放温机构(3)与调温机构(6)的外部电源，这时推拉杆(47)所施加的力会拉动连接块(61)使其拉伸缓冲弹簧(62)发生形变后在限位滑杆(63)上滑动，在连接块(61)滑动的过程中其会同时带动调节拨片(64)在电阻片(65)上滑动；

S4.由于调节拨片(64)、电阻片(65)、电热丝(31)、电性块(32)为串联，在调节拨片(64)滑动后电阻片(65)在电路内的阻值发生改变，从而使得施加在电热丝(31)上的电压大小发生改变，进而改变电热丝(31)的发热量，这时电热丝(31)散发的热量会经过安装座(33)传导至衬底架(1)，并最终传导至原料；

S5.在判断机构(4)的作用下，电热丝(31)所散发的热量始终保持一个动态平衡，即原料温度降低时电热丝(31)所散发的热量升高，反之原料温度升高时电热丝(31)所散发的热量降低，从而确保原料所受到的热量均匀；

S6.在对第一次外延生长后的原料进行制备光栅时，光栅所使用的腐蚀液会滴落在衬底架(1)上，此时腐蚀液的温度会降低衬底架(1)的温度，进而使得传动腔(43)内的温度降低压强减少，从而此时的复位弹簧(46)便会开始复位；

S7.复位后的复位弹簧(46)拉动加压杆(45)向着靠近传动腔(43)的方向运动，从而带动挤压块(51)同步运动，这时挤压块(51)施加在负压囊(52)上的压力同步减小，从而负压囊(52)开始回弹，其内部空间逐渐增大形成负压，这个负压经由换气槽(53)传导至回收槽(54)内，再经由回收槽(54)作用在衬底架(1)上，最终作用在腐蚀液上，从而减少腐蚀液停留在原料上的时间，避免腐蚀液对原料进行蚀刻。

2.一种如权利要求1所述的激光器芯片的化合物外延生长的制造装置，其特征在于：包括调温机构(6)、回收机构(5)，所述调温机构(6)包括连接块(61)，所述连接块(61)内部活动连接有限位滑杆(63)，所述连接块(61)远离限位滑杆(63)的一侧活动连接有缓冲弹簧(62)，所述连接块(61)左侧固定连接有调节拨片(64)，所述调节拨片(64)远离连接块(61)的一端活动连接有电阻片(65)，所述电阻片(65)外部固定连接有紧固架(66)。

3.根据权利要求2所述的一种激光器芯片的化合物外延生长的制造装置，其特征在于：所述回收机构(5)包括挤压块(51)，所述挤压块(51)底部活动连接有负压囊(52)，所述负压囊(52)靠近连接块(61)的一侧活动连接有换气槽(53)，所述换气槽(53)远离负压囊(52)的一端活动连接有回收槽(54)。

4.根据权利要求2所述的一种激光器芯片的化合物外延生长的制造装置，其特征在于：所述回收机构(5)顶部活动连接有判断机构(4)，所述判断机构(4)顶部活动连接有放温机构(3)，所述放温机构(3)顶部活动连接有衬底架(1)，所述衬底架(1)底部靠近判断机构(4)的一侧固定连接有支撑座(2)，所述判断机构(4)远离支撑座(2)的一侧与调温机构(6)活动连接。

5.根据权利要求4所述的一种激光器芯片的化合物外延生长的制造装置，其特征在于：所述放温机构(3)包括电热丝(31)，所述电热丝(31)左右两侧均活动连接有电性块(32)，所述电性块(32)外部活动连接有安装座(33)。