[发明专利]一种半导体激光器封装结构

权利要求书

1.一种半导体激光器封装结构，其特征在于，所述封装结构包括至少一个半导体激光器芯片和液冷底板，各所述半导体激光器芯片设置在所述液冷底板上，所述液冷底板的侧面上设置有冷却液的进液口和出液口，所述液冷底板的内部设置有液体通道与所述进液口和所述出液口连接，所述液体通道的至少一部分设置在所述半导体激光器芯片的底部区域，且该至少一部分的通道分成多个子通道，用于提高对各所述半导体激光器芯片的冷却能力。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述液体通道分为进液通道和出液通道，所述多个子通道设置在所述出液通道上，且所述多个子通道的入液端设置有分配槽,所述多个子通道的出液端设置有汇聚槽，所述分配槽与所述进液通道连接，所述汇聚槽与所述出液口连接。

3.根据权利要求1或2所述的封装结构，其特征在于，所述多个子通道由多孔结构和/或多叶片结构形成。

4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述多孔结构中的各孔相互平行；和/或，所述多叶片结构中的各叶片相互平行。

5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，各所述半导体激光器芯片设置在辅助热沉上，所述辅助热沉烧结在所述液冷底板上，所述辅助热沉选用热导率不低于200W/m·K的材料，包括如下的任一种材料：氮化铝、碳化硅、石墨烯或金刚石。

6.根据权利要求1、2、4或5所述的封装结构，其特征在于，所述液冷底板由单一种金属的部分制成，或者由两个以上部分拼接组成，且各部分的金属材料不同，其中，靠近所述半导体激光器芯片的部分采用的金属的导热率大于远离所述半导体激光器芯片部分的金属的导热率。

7.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述靠近所述半导体激光器芯片的部分采用的金属为铜，所述远离所述半导体激光器芯片的部分采用的金属为铝。

8.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述靠近所述半导体激光器芯片的部分通过拉模、锻造或3D打印方式加工形成。

9.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述液冷底板中的冷却介质为纯净水或相变介质。

10.根据权利要求1、2、4或5所述的封装结构，其特征在于，各所述半导体激光器芯片的出光功率不低于30W。