[发明专利]多位电平移位器及其操作方法在审
申请号: | 202110616093.0 | 申请日: | 2021-06-02 |
公开(公告)号: | CN115189689A | 公开(公告)日: | 2022-10-14 |
发明(设计)人: | 丁婧;严章英;孟庆超;陈怡廷 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司;台积电(南京)有限公司 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 杨佳婧 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电平 移位 及其 操作方法 | ||
本公开涉及多位电平移位器及其操作方法。一种多位电平移位器(MBLS)包括相应地被配置为在第一电压域中工作的两个或更多个输入电路。MBLS还包括两个或更多个一位电平移位器(SBLS),相应地与两个或更多个输入电路电耦合,并且相应地被配置为在第二电压域中工作。MBLS还包括控制电路,该控制电路被配置为根据从控制电路接收到的切换控制信号,在正常状态和待机状态之间切换两个或更多个SBLS中的每一个SBLS。
技术领域
本公开涉及半导体技术领域,更具体地,涉及多位电平移位器及其操作方法。
背景技术
集成电路(IC)有时包括对应于多个被独立控制的电源域的多个部分。在一些情况下,第一电源域包括第一电源电压电平,并且第二电源域包括与第一电源电压电平不同的第二电源电压电平。使用电平移位器在这些部分之间传播信号,所述电平移位器使逻辑电平在第一电源电压电平和第二电源电压电平之间移位。
数字电子技术中的电平移位器(也被称为逻辑电平移位器或电压电平转换器)是用于将信号从一个逻辑电平或电压域转换到另一逻辑电平或电压域从而促进具有不同电压要求的IC(例如晶体管-晶体管逻辑(TTL)和互补金属氧化物半导体(CMOS))之间的兼容性的电路。电平移位器用于作为处理器、逻辑、传感器和其他电路之间的域的纽带。
发明内容
本公开的一个方面涉及一种用于半导体器件的电路,包括:两个或更多个输入电路,相应地被配置为在第一电压域下工作;两个或更多个一位电平移位器(SBLS),相应地与所述两个或更多个输入电路电耦合,并且相应地被配置为在第二电压域下工作;以及控制电路,被配置为使所述两个或更多个SBLS中的每一个SBLS在从所述控制电路接收到控制信号时在正常状态和待机状态之间切换。
本公开的另一个方面涉及一种集成电路(IC),包括:第一N阱(NW),位于竖直轴和水平轴的交叉点处;第二NW,沿着所述水平轴位于所述竖直轴的第一侧;第三NW,沿着所述水平轴位于所述竖直轴的第二侧;第一电源节点,被配置为具有第一电源电压;以及第二电源节点,被配置为具有第二电源电压;第三电源节点,被配置为具有第三电源电压;输入电路,被配置为接收第一电压域中的输入信号,所述输入电路包括:第一PMOS晶体管,位于所述第一NW中,并且所述第一PMOS晶体管包括耦合到所述第一电源节点的第一源极/漏极(S/D)端子;以及第二PMOS晶体管,位于所述第一NW中,并且所述第二PMOS晶体管包括耦合到所述第一电源节点的第二S/D端子;以及至少两个一位电平移位器(SBLS),包括:第一SBLS,包括所述第二NW中的第三PMOS晶体管,并且所述第三PMOS晶体管包括耦合到所述第二电源节点的第三S/D端子;以及第二SBLS,包括所述第三NW中的第四PMOS晶体管,并且所述第四PMOS晶体管包括耦合到所述第二电源节点的第四S/D端子;其中,所述第一SBLS和所述第二SBLS被配置为从所述输入电路接收相应的输入信号,并且将所述相应的输入信号从所述第一电压域转换到第二电压域;以及控制电路,电耦合到所述第一SBLS和所述第二SBLS,所述控制电路被配置为根据切换控制信号使所述第一SBLS和所述第二SBLS在正常模式和待机模式之间切换。
本公开的又一方面涉及一种操作多个一位电平移位器(SBLS)的方法,所述方法包括:接收第一电源电压和第二电源电压,所述第二电源电压在所述第一电源电压和第三电源电压之间;在电连接到所述第一电源电压的两个或更多个输入电路处接收来自在所述第一电源电压下工作的第一电压域的输入;从所述两个或更多个输入电路将来自所述第一电压域的所述输入的版本输出到在第二电压域中工作并且电连接到所述第二电源电压的两个或更多个相应的SBLS;通过所述两个或更多个SBLS相应地将所述输入的版本从所述第一电压域转换到所述第二电压域;在所述两个或更多个相应的SBLS中的每一个SBLS处接收来自控制电路的切换控制信号;以及基于所述切换控制信号,使两个或更多个相应的SBLS在正常模式和待机模式之间切换。
附图说明
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