[发明专利]一种通过新型V2在审

专利信息
申请号: 202110615026.7 申请日: 2021-06-02
公开(公告)号: CN113351869A 公开(公告)日: 2021-09-07
发明(设计)人: 胡春峰;全宇;萨尔瓦托.格拉索;冯庆国 申请(专利权)人: 西南交通大学
主分类号: B22F3/14 分类号: B22F3/14;B22F3/24;B22F9/04;C22C1/05;C22C9/00;C22C32/00;C22C1/10
代理公司: 成都信博专利代理有限责任公司 51200 代理人: 舒启龙
地址: 610031 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
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【权利要求书】:

1.一种通过新型V2SnC陶瓷粉体制备V2C/Cu(Sn)复合材料的方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤1:将V2SnC、Cu粉按V2C、Cu体积配比为0~30%:100~70%混合均匀,置于真空热压炉中,在650~950℃条件下反应处理0~3小时,并施加20~35MPa的压力,冷却后即获得反应产物;

步骤2:将步骤1得到的反应产物用金刚石砂盘磨0~4小时,即获得初期块体;

步骤3:将步骤2得到的初期块体用中走丝线切割机加工出需要形状的工件;

步骤4:将步骤3得到的工件用800~2000目的砂纸进行表面抛光,得到测试工件;

步骤5:将步骤4得到的测试工件置于测试设备上进行性能测试。

2.根据权利要求1所述的通过新型V2SnC陶瓷粉体制备V2C/Cu(Sn)复合材料的方法,其特征在于,所述步骤1中V2SnC粉末的粒径为200~400目,Cu粉末的粒径为200~400目,经人工称量混合,在行星式球磨机上混合均匀,混料12~24小时。

3.根据权利要求1所述的通过新型V2SnC陶瓷粉体制备V2C/Cu(Sn)复合材料的方法,其特征在于,所述步骤1中热压炉的升温速率为10~30℃/min,降温速率为10~20℃/min。

4.根据权利要求1所述的通过新型V2SnC陶瓷粉体制备V2C/Cu(Sn)复合材料的方法,其特征在于,所述步骤2中,可用低目数砂纸直接人工磨,目的是去除块体产物表面的石墨纸和碳化层。

5.根据权利要求1所述的通过新型V2SnC陶瓷粉体制备V2C/Cu(Sn)复合材料的方法,其特征在于,所述步骤3中使用中走丝线切割机进行加工,要根据国家标准设计工件尺寸,提高测试结果可信度。

6.根据权利要求1所述的通过新型V2SnC陶瓷粉体制备V2C/Cu(Sn)复合材料的方法,其特征在于,所述步骤5中测试过程要测量多组值,取平均值。

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