[发明专利]存储器在审

专利信息
申请号: 202110609025.1 申请日: 2021-06-01
公开(公告)号: CN115424654A 公开(公告)日: 2022-12-02
发明(设计)人: 王佳 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: G11C29/26 分类号: G11C29/26;G11C29/12
代理公司: 华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 杨明莉
地址: 230601 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 存储器
【权利要求书】:

1.一种存储器,其特征在于,包括:

存储模块,包括多个感测放大器阵列和多个存储单元阵列,所述感测放大器阵列与所述存储单元阵列交替排布,所述感测放大器阵列用于对所述存储单元阵列进行数据读写;

第一数据线,与各所述感测放大器阵列均电连接;

读模块,与所述第一数据线电连接,用于对所述第一数据线上的数据进行读取;

第一校验模块,与所述读模块电连接;

第二校验模块,与所述读模块电连接;所述读模块被配置为:将读取数据的部分传输至所述第一校验模块以进行检错和/或纠错,并将读取数据的另外部分传输至所述第二校验模块以进行检错和/或纠错;

其中,传输至所述第一校验模块的数据与传输至所述第二校验模块的数据分别来自于相邻的感测放大器阵列。

2.根据权利要求1所述的存储器,其特征在于,所述第一数据线包括多组第一数据正线和第一数据反线,所述第一数据正线和所述第一数据反线传输互为反相的数据。

3.根据权利要求2所述的存储器,其特征在于,所述读模块包括多个读电路单元,每一所述读电路单元电连接一组所述第一数据正线和所述第一数据反线。

4.根据权利要求3所述的存储器,其特征在于,所述读电路单元包括放大电路,所述第一数据正线通过第一开关单元与所述放大电路的第一输入端电连接,所述第一数据反线通过第二开关单元与所述放大电路的第二输入端电连接,其中,所述放大电路用于对所述第一输入端和所述第二输入端的信号进行放大。

5.根据权利要求4所述的存储器,其特征在于,所述第一开关单元的控制端和所述第二开关单元的控制端均接收读使能信号,用于在所述读使能信号为有效状态时将所述第一数据正线和所述第一数据反线的信号分别传输至所述放大电路的所述第一输入端和所述放大电路的所述第二输入端。

6.根据权利要求5所述的存储器,其特征在于,所述读电路单元还包括输出电路,所述输出电路的输入端电连接所述放大电路的所述第一输入端,用于将所述放大电路的所述第一输入端的信号输出至第二数据线。

7.根据权利要求5所述的存储器,其特征在于,所述读电路单元还包括匹配电路,所述匹配电路与所述放大电路的所述第二输入端电连接,用于匹配所述放大电路的所述第一输入端和所述放大电路的所述第二输入端的负载。

8.根据权利要求7所述的存储器,其特征在于,所述读电路单元还包括预充电模块,所述预充电模块与所述放大电路的所述第一输入端和所述放大电路的所述第二输入端均电连接,用于预充电。

9.根据权利要求4-8任一项所述的存储器,其特征在于,所述放大电路包括:

第一晶体管,被配置为:源极与第一电压电连接,栅极与所述放大电路的所述第二输入端电连接;

第二晶体管,被配置为:源极与第二电压电连接,漏极与所述第一晶体管的漏极及所述放大电路的所述第一输入端均电连接;

第三晶体管,被配置为:源极与所述第一电压电连接,漏极与所述第一晶体管的栅极及所述放大电路的所述第二输入端均电连接,栅极与所述放大电路的所述第一输入端电连接;

第四晶体管,被配置为:源极与所述第二电压电连接,漏极与所述第三晶体管的漏极及所述第二晶体管的栅极均电连接,栅极与所述放大电路的所述第一输入端电连接。

10.根据权利要求6所述的存储器,其特征在于,所述输出电路包括:

第五晶体管,被配置为:源极与第一电压电连接,栅极与所述放大电路的所述第一输入端电连接,漏极与所述第二数据线电连接;

第六晶体管,被配置为:漏极与所述第五晶体管的漏极及所述第二数据线均电连接,栅极与所述第五晶体管的栅极及所述放大电路的所述第一输入端均电连接。

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