[发明专利]存储器系统的存取操作状态信令

说明书

本申请涉及存储器系统的存取操作状态信令。在一些实例中，存储器系统可以通过执行例如读取或写入操作等存取操作而对来自主机系统的存取命令作出响应。根据本文公开的实例，系统可被配置成支持主机系统与存储器系统之间的存取操作状态信令，这可提高所述系统适应包含当存取操作完成被延迟时在内的各种存取场景的能力。例如，当存储器系统正在执行错误恢复或媒体管理操作时，所述存储器系统可以指示所述错误恢复或媒体管理操作正被执行或以其它方式仍在进行。此类状态信令可以指示所述存储器系统正在主动执行操作，这些操作可以由主机系统用于禁止复位或重新初始化。

交叉引用

本申请要求由梁(Liang)等人于2020年6月3日提交的题为“存储器系统的存取操作状态信令(ACCESS OPERATION STATUS SIGNALING FOR MEMORY SYSTEMS)”的 第16/891,615号美国专利申请的优先权，所述美国专利申请转让给本受让人，并且明确 地以全文引用的方式并入本文中。

技术领域

本技术领域涉及存储器系统的存取操作状态信令。

背景技术

存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等的各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。 例如，二进制存储器单元可被编程为常常对应于逻辑1或逻辑0的两个支持状态中的一 者。在一些实例中，单个存储器单元可支持超过两个可能状态，存储器单元可存储所述 超过两个可能状态中的任一个。为了存取由存储器装置存储的信息，组件可读取或感测 存储器装置内的一或多个存储器单元的状态。为了存储信息，组件可将存储器装置内的 一或多个存储器单元写入或编程为对应状态。

存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM (MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、三维交叉点存储器 (3D XPoint)、或非(NOR)和与非(NAND)存储器装置等。存储器装置可以是易失性或非易 失性的。易失性存储器单元(例如，DRAM单元)除非由外部电源周期性地刷新，否则可 能随时间推移而丢失其编程状态。非易失性存储器单元(例如，NAND存储器单元)即使 在不存在外部电源的情况下仍可维持其编程状态很长一段时间。

发明内容

描述了一种设备。所述设备可以包含存储器阵列和与所述存储器阵列耦合的控制组 件。所述控制组件可被配置成使得所述设备：处理从主机系统接收的在所述存储器阵列上执行存取操作的命令；在完成所述存取操作之前，识别接收到所述命令之后的经过时 间满足阈值；以及向所述主机系统并且至少部分地基于识别所述经过时间满足所述阈值 而指示所述存取操作的状态。

描述了一种设备。所述设备可以包含被配置成与存储器系统耦合的控制组件。所述 控制组件可被配置成使得所述设备：向所述存储器系统传输在所述存储器系统处执行存 取操作的命令；至少部分地基于传输所述命令之后的经过时间满足阈值，处理从所述存储器系统接收的所述存取操作的状态的指示；至少部分地基于处理所述存取操作的所述状态的所述指示，确定第二命令；以及将所述第二命令传输到所述存储器系统。

描述了一种非暂时性计算机可读媒体。所述非暂时性计算机可读媒体可以存储代码，所述代码包含指令，所述指令在由电子装置的处理器执行时使得所述电子装置：处 理从主机系统接收的在存储器系统处执行存取操作的命令；在完成所述存取操作之前， 识别接收到所述命令之后的经过时间满足阈值；以及向所述主机系统并且至少部分地基 于识别所述经过时间满足所述阈值而指示所述存取操作的状态。