[发明专利]发光显示装置在审
申请号: | 202110607180.X | 申请日: | 2021-05-31 |
公开(公告)号: | CN114695435A | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 林东赫;金甫城;申和容;李知炯 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 显示装置 | ||
1.一种发光显示装置,包括:
基板,所述基板具有多个子像素;
设置在每个子像素中的阳极;
设置在整个所述子像素中的阴极,所述阴极与所述阳极相对;
设置在所述阳极和所述阴极之间并由电荷生成层来划分的第一叠层和第二叠层,并且所述第一叠层和所述第二叠层的每一个包括发光层;以及
设置在所述阳极和所述第一叠层之间的空穴注入层,所述空穴注入层接触所述阳极,
其中所述空穴注入层接触所述第一叠层的第一空穴传输层,并且所述空穴注入层的取向因子S’小于所述第一空穴传输层的取向因子S’。
2.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中:
所述空穴注入层的取向因子S’小于等于0.8,
所述第一空穴传输层的取向因子S’超过0.8。
3.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中:
所述空穴注入层包含芴,
所述第一空穴传输层包含咔唑、二苯并呋喃和联苯的至少之一。
4.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中所述电荷生成层包括依次堆叠的n型电荷生成层和p型电荷生成层,
其中所述p型电荷生成层包括p型掺杂剂和具有小于等于0.8的取向因子S’的基质。
5.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中所述第二叠层还包括设置在所述电荷生成层与所述第二叠层的发光层之间的第二空穴传输层,所述第二空穴传输层接触所述电荷生成层并且具有小于等于0.8的取向因子S’。
6.根据权利要求5所述的发光显示装置,还包括设置在所述第二叠层的第二空穴传输层与所述第二叠层的发光层之间的第三空穴传输层,所述第三空穴传输层与所述第二空穴传输层接触并且具有超过0.80的取向因子S’。
7.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中所述第一叠层还包括第三空穴传输层,所述第三空穴传输层与所述第一空穴传输层的上表面接触并且具有小于等于0.8的取向因子S’。
8.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中在每个子像素中所述第一叠层的发光层和所述第二叠层的发光层发射相同颜色的光。
9.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中所述空穴注入层包括p型掺杂剂。
10.一种发光显示装置,包括:
基板,所述基板具有第一子像素、第二子像素和第三子像素;
分别设置在所述第一子像素、第二子像素和第三子像素中的第一阳极、第二阳极和第三阳极;
在整个所述第一子像素、第二子像素和第三子像素中设置的阴极,所述阴极与所述第一阳极、第二阳极和第三阳极相对;
第一叠层和第二叠层,所述第一叠层和所述第二叠层通过n型电荷生成层划分开并且设置在所述第一阳极、第二阳极和第三阳极与所述阴极之间;
第一p型电荷生成层,所述第一p型电荷生成层在所述第一子像素中设置在所述n型电荷生成层与所述第二叠层之间;以及
第二p型电荷生成层,所述第二p型电荷生成层在所述第二子像素和所述第三子像素的每一个中设置在所述n型电荷生成层和所述第二叠层之间,并且所述第二p型电荷生成层具有比所述第一p型电荷生成层的取向因子S’小的取向因子S’,
其中分别在所述第一叠层和所述第二叠层中,所述第一子像素包括第一颜色发光层,所述第二子像素包括第二颜色发光层,所述第三子像素包括第三颜色发光层。
11.根据权利要求10所述的发光显示装置,其中所述第一子像素的导通电压低于所述第二子像素和所述第三子像素的导通电压。
12.根据权利要求10所述的发光显示装置,其中所述第一p型电荷生成层的取向因子S’大于等于0.84,并且所述第二p型电荷生成层的取向因子S’小于等于0.8。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的