[发明专利]驱动电路和包括其的电器有效
申请号: | 202110604124.0 | 申请日: | 2021-05-31 |
公开(公告)号: | CN113489289B | 公开(公告)日: | 2023-07-07 |
发明(设计)人: | 刘利书 | 申请(专利权)人: | 美的集团(上海)有限公司;广东美的白色家电技术创新中心有限公司;美的集团股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/088 | 分类号: | H02M1/088;H02M1/32 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 黎坚怡 |
地址: | 201702 上海市青浦区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 驱动 电路 包括 电器 | ||
本申请涉及一种驱动电路和包括其的电器。该驱动电路包括驱动模块、导流开关以及控制模块。驱动模块包括串联在第一电压和第二电压之间的上桥臂开关管和下桥臂开关管。导流开关连接第二电压和下桥臂开关管的控制端。控制模块连接下桥臂开关管的控制端,以发出控制信号至下桥臂开关管从而控制下桥臂开关管是否导通。控制模块被配置为在控制信号控制下桥臂开关管截止时,将导流开关切换至导通状态。
技术领域
本申请涉及电子电路技术,特别是涉及一种驱动电路和包括其的电器。
背景技术
在诸如IGBT栅极驱动芯片的栅极驱动电路中,伴随着电路中开关管的通断或者雷电涌、关联设备的噪声等,常常会出现电压变动而导致dVs/dt噪声。尤其是高压侧开关管(也称上桥臂开关管)导通、低压侧开关管(也称下桥臂开关管)关断时的dVs/dt噪声将使关断的低压侧开关管承受比较高的dVs/dt噪声。该dVs/dt噪声会利用低压侧开关管本身的密勒效应,通过低压侧开关管的栅极和漏极之间的寄生电容向驱动电路放电。该放电过程所产生的峰值电压可能会超过低压侧开关管导通阈值电压而导致该低压侧开关管的误导通,从而造成上桥臂-下桥臂直通的现象,严重时导致高低压侧开关管“炸管”。
一般通过在开关管的栅极和源极之间连接电容的方式来保护低压侧开关管。所连接的电容可以分走一部分密勒电流,从而削弱上述峰值电压的影响。然而电容的面积大,在芯片中安装成本高。并且该分流方式是一种被动分流方式,可靠性低。
发明内容
本申请提供一种驱动电路和包括其的电器,以解决现有技术中密勒电流分流电路成本高且可靠性低的问题。
为解决上述问题,本申请所采用的一个技术方案是:提供一种驱动电路。该驱动电路包括驱动模块、导流开关以及控制模块。驱动模块包括串联在第一电压和第二电压之间的上桥臂开关管和下桥臂开关管。导流开关连接第二电压和下桥臂开关管的控制端。控制模块连接下桥臂开关管的控制端,以发出控制信号至下桥臂开关管从而控制下桥臂开关管是否导通。控制模块被配置为在控制信号控制下桥臂开关管截止时,将导流开关切换至导通状态。
为解决上述问题,本申请所采用的另一个技术方案是:提供一种电器。该家用电器包括上述驱动电路。
区别于现有技术,本申请利用控制模块检测下桥臂开关管是否截止,在下桥臂开关管截止时,使导流开关导通形成密勒电流分流路径。该分流方式在下桥臂开关管截止时主动形成分流路径,可靠性高。并且该分流方式无需利用电容,降低了电路的成本。
附图说明
为更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是根据本申请第一实施例的驱动电路的原理框图;
图2是根据本申请第一实施例的驱动电路的电路图;
图3是根据本申请第二实施例的驱动电路的原理框图;
图4是根据本申请第二实施例的驱动电路的电路图;
图5是根据本申请第三实施例的驱动电路的电路图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。具体请参考图1,图1是根据本申请实施例的电路的原理框图。如图1所示,驱动电路包括驱动模块10、控制模块20和导流开关M3。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美的集团(上海)有限公司;广东美的白色家电技术创新中心有限公司;美的集团股份有限公司,未经美的集团(上海)有限公司;广东美的白色家电技术创新中心有限公司;美的集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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