[发明专利]一种具有失效分断功能的TVS防护器件在审
申请号: | 202110603921.7 | 申请日: | 2021-05-31 |
公开(公告)号: | CN113488545A | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
发明(设计)人: | 周伟伟;欧阳炜霞;高良通;周懿冉;邓珂;杨许亮;陈赵泷 | 申请(专利权)人: | 上海维攀微电子有限公司 |
主分类号: | H01L29/861 | 分类号: | H01L29/861;H01L29/06;H01L23/48;H01L23/488;H01L23/525 |
代理公司: | 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253 | 代理人: | 熊亮亮 |
地址: | 200233 上海市徐汇区上海漕河泾*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 失效 功能 tvs 防护 器件 | ||
本发明公开一种具有失效分断功能的TVS防护器件,包括封装外壳,封装外壳的中心封装有包括双向芯片组,双向芯片组包括位于第一TVS芯片以及第二TVS芯片,第一TVS芯片焊接有第一基岛,第一基岛通过第一熔断接线连接第一引线架,第二TVS芯片焊接有第二基岛,第二基岛通过第二熔断接线连接第二引线架,第一熔断接线连接第一基岛与第一接线架,第二熔断接线连接第二基岛与第二接线架,第一熔断接线与第二熔断接线的最大通过容量略小于TVS芯片的烧毁能量,在通过TVS芯片的能量超出TVS芯片的承受力之前熔断断开电路,保证了本器件既不会出现短路失效模式也不会出现炸裂等危险情况,可靠性高,安全性好。
技术领域
本发明涉及二极管技术领域,具体涉及到一种具有失效分断功能的TVS防护器件。
背景技术
目前,瞬态抑制二极管(Trans ient Vo ltage Suppressor,TVS)作为有效的防护器件,使瞬态干扰得到了有效抑制。TVS是利用硅半导体材料制成的特殊功能的二极管,当TVS管两端经受瞬间的高能量冲击时,它能迅速开启,同时吸收浪涌电流,将其两端间的电压箝位在一个预定的数值上,从而确保后面精密的电子元器件免受瞬态高能量的冲击而损坏。
在实际应用中,当脉冲能量超过TVS管所能承受的能量时,TVS管就会产生过电应力损伤,从而导致TVS管失效。TVS管最常见的失效模式是短路失效,此时,即使脉冲电路衰减,TVS管也不会恢复到起始状态,而是一直处于短路状态,从而改变原本的电路结构,导致电子设备无法正常使用,也可能因为电流或电压发生变化导致其余电子元件遭到破坏,违反TVS管的使用初衷。若TVS管因短路电流过大、温度过高而发生炸裂时,此时为断路失效,而炸裂本身会对电子设备和电子元件的影响将更为严重,甚至造成其他不可预料的损失。
因此,由于TVS管在承受超过所允许流过的最大脉冲能量时,因为不能及时从所在线路中安全脱离,从而无法在可靠性要求高的场合中使用。
发明内容
为了解决上述现有技术中的不足之处,本发明提出一种具有失效分断功能的TVS防护器件,通过添加通过能量略低于TVS芯片烧毁能量的第一熔断接线以及第二熔断接线,在TVS芯片承受最大的能量烧毁前,第一熔断接线以及第二熔断接线熔断,断开电路的连接,保证了本器件既不会出现短路失效模式也不会出现炸裂等危险情况,可靠性高,安全性好。
为了实现上述技术效果,本发明采用如下方案:
一种具有失效分断功能的TVS防护器件,包括封装外壳,所述封装外壳的中心封装有包括双向芯片组,所述双向芯片组包括位于上方的第一TVS芯片以及位于下方的第二TVS芯片,所述第一TVS芯片的正极面与第二TVS芯片的负极面通过第一焊接层焊接,所述第一TVS芯片的上表面通过第二焊接层焊接有第一基岛,所述第一基岛通过第一熔断接线连接第一引线架,所述第一引线架包括第一连接片,所述第一连接片竖直设置,所述第一连接片的上端与第一熔断接线连接,所述第一连接片的下端伸出封装外壳连接第一引脚,所述第二TVS芯片的下表面通过第三焊接层焊接有第二基岛,所述第二基岛通过第二熔断接线连接第二引线架,所述第二引线架包括第二连接片,所述第二连接片竖直设置,所述第二连接片的上端与第一熔断接线连接,所述第二连接片的下端伸出封装外壳连接第二脚。
优选的技术方案,所述所述第一基岛与第一TVS芯片连接的一面上朝向第一TVS芯片凸出设有若干第一凸起;所述第二基岛与第二TVS芯片连接的一面上朝向第二TVS芯片凸出设有若干第二凸起。
优选的技术方案,所述封装外壳的上表面具有第一安装槽,所述第一安装槽内胶粘设有第一散热板,所述第一散热板的下表面具有若干插入封装外壳内的第一导热柱;所述封装外壳的下表面具有第二安装槽,所述第二安装槽内胶粘设有第二散热板,所述第二散热板的上表面具有若干插入封装外壳内的第二导热柱。
优选的技术方案,所述第一TVS芯片与第一基岛之间焊接有第一过流芯片层,所述第二TVS芯片与第二基岛之间焊接有第二过流芯片层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海维攀微电子有限公司,未经上海维攀微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110603921.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:安全进程模仿检测
- 下一篇:一种饲用抗病促生长中药添加剂、制备方法及其应用
- 同类专利
- 专利分类