[发明专利]一种LED芯片

说明书

发明提供了一种LED芯片，外延结构包括：第一半导体层；位于第一半导体层一侧上的电流阻挡层；位于电流阻挡层背离第一半导体层上的第二半导体层，第一半导体层和第二半导体层的导电类型相同；位于第二半导体层背离第一半导体层上的位错阻挡层；位于位错阻挡层背离第一半导体层上的有源层；位于有源层背离第一半导体层上的第三半导体层，第三半导体层与第一半导体层的导电类型不同。本发明提供的技术方案，通过设置位错阻挡层能够减小LED芯片的位错密度，同时能够实现应力释放功能，进而降低LED芯片外延生长过程中出现翘曲的情况的几率。以及通过设置电流阻挡层能够实现LED芯片更好的电流阻挡效果，进而保证LED芯片的性能优良。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，更为具体地说，涉及一种LED(Light EmittingDiode，发光二极管)芯片。

背景技术

随着发光二极管技术的发展，现有发光二极管被广泛应用于电子、光学等领域，更是在照明、显示、数码方面有着长足的发展。并且，随着LED(Light Emitting Diode，发光二极管)应用端的逐渐扩大，市场对LED性能要求也越来越高。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种LED芯片，有效解决现有技术存在的技术问题，保证LED芯片的性能优良。

为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：

一种LED芯片，包括外延结构，所述外延结构包括：

第一半导体层；

位于所述第一半导体层一侧上的电流阻挡层；

位于所述电流阻挡层背离所述第一半导体层上的第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层的导电类型相同；

位于所述第二半导体层背离所述第一半导体层上的位错阻挡层；

位于所述位错阻挡层背离所述第一半导体层上的有源层，其中，在所述第一半导体层朝向所述有源层方向，所述有源层包括叠加的至少一个重复层，所述重复层包括叠加的势垒层和势阱层；

位于所述有源层背离所述第一半导体层上的第三半导体层，所述第三半导体层与所述第一半导体层的导电类型不同。

可选的，所述外延结构还包括：

位于所述有源层与所述第三半导体层之间的尾垒层；

位于所述尾垒层与所述第三半导体层之间的低温层；

位于所述低温层与所述第三半导体层之间的电子阻挡层；

位于所述第三半导体层背离所述第一半导体层一侧的欧姆接触层。

可选的，所述第一半导体层、所述电流阻挡层、所述第二半导体层、所述位错阻挡层、所述势垒层、所述势阱层、所述第三半导体层、所述尾垒层、所述低温层、所述电子阻挡层和所述欧姆接触层的材质均包括Al组分；

其中，所述尾垒层的Al组分大于所述位错阻挡层的Al组分，所述位错阻挡层的Al组分大于所述电子阻挡层的Al组分，所述电子阻挡层的Al组分大于所述电流阻挡层的Al组分，所述电流阻挡层的Al组分大于所述势垒层的Al组分；

及所述势垒层的Al组分大于或等于所述第一半导体层、所述第二半导体层、所述势阱层、所述低温层、所述第三半导体层和所述欧姆接触层各自相应的Al组分。

可选的，所述外延结构还包括：位于所述第一半导体层背离所述电流阻挡层一侧的辅助位错阻挡层。

可选的，所述辅助位错阻挡层、所述第一半导体层、所述电流阻挡层、所述第二半导体层、所述位错阻挡层、所述势垒层、所述势阱层、所述第三半导体层、所述尾垒层、所述低温层、所述电子阻挡层和所述欧姆接触层的材质均包括Al组分；