[发明专利]一种太阳能电池的制备方法

说明书

本发明提供一种太阳能电池的制备方法，提供遮撑条；提供衬底器件，所述衬底器件包括器件区和划片区，所述衬底器件包括:半导体衬底层和位于半导体衬底层一侧的第一掺杂半导体层；将所述衬底器件置于所述遮撑条的上方，所述遮撑条接触所述划片区的第一掺杂半导体层，所述器件区的第一掺杂半导体层的表面被暴露；以所述遮撑条为掩膜，通过镀膜工艺在器件区的第一掺杂半导体层的表面形成第一透明导电膜；形成所述第一透明导电膜之后，沿所述划片区对所述衬底器件进行划片；所述遮撑条的宽度大于沿所述划片区对所述衬底器件进行划片步骤中对衬底器件的切割宽度。所述方法提高了太阳能电池的光电转换效率。

技术领域

本发明涉及太阳能电池制造技术领域，具体涉及一种太阳能电池的制备方法。

背景技术

太阳能电池硅片的边长尺寸经历了125mm、156mm、158.75mm、166mm、180mm、182mm，现在最大尺寸到了210mm。随着太阳能电池尺寸的增大，太阳能电池的电流增大，电流失配后的串接损耗也相应增大，为了降低大尺寸太阳能电池的电损耗，大尺寸太阳能电池在串联前都采用了切半的设计，对于面积更大的210mm电池片，更采用了三切的设计，以降低太阳能电池封装损耗。

现有技术提供的太阳能电池的分片方法一般采用激光切割和裂片的工艺，异质结电池(HJT)因为双面都具有透明导电膜(TCO)，激光预切割和裂片后，异质结电池双面的透明导电膜破损容易造成导通，影响分片后异质结电池的性能，分片方法有待改善。

发明内容

因此，本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中太阳能电池的分片后转换效率降低的问题，从而提供一种太阳能电池的制备方法。

本发明提供一种太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：提供遮撑条；提供衬底器件，所述衬底器件包括器件区和划片区，所述衬底器件包括：半导体衬底层和位于所述半导体衬底层一侧的第一掺杂半导体层；将所述衬底器件置于所述遮撑条的上方，所述遮撑条接触所述划片区的所述第一掺杂半导体层，所述器件区的所述第一掺杂半导体层的表面被暴露；以所述遮撑条为掩膜，通过镀膜工艺在所述器件区的所述第一掺杂半导体层的表面形成第一透明导电膜；形成所述第一透明导电膜之后，沿所述划片区对所述衬底器件进行划片；所述遮撑条的宽度大于沿所述划片区对所述衬底器件进行划片步骤中对衬底器件的切割宽度。

可选的，所述镀膜工艺包括反应等离子体沉积工艺或者磁控溅射镀膜工艺，所述镀膜工艺采用的镀膜源位于所述遮撑条背离所述衬底器件的一侧。

可选的，所述遮撑条的宽度为0.8mm～2mm。

可选的，所述遮撑条的厚度为0.4mm～3mm。

可选的，所述遮撑条的长度为100mm～250mm。

可选的，所述遮撑条的材料包括不锈钢、碳纤维、铝、钛合金或者石墨。

可选的，所述遮撑条为支架的一部分，所述支架还包括支架本体，所述支架本体中具有贯穿所述支架本体的镂空口；所述遮撑条与所述支架本体的侧壁固定连接且位于所述镂空口中；所述太阳能电池的制备方法还包括：提供载板，所述载板具有贯穿所述载板的开口；将所述支架嵌入所述开口中，所述支架本体的侧壁与所述开口的侧壁相对设置；将所述衬底器件置于所述遮撑条的上方的步骤包括：把所述衬底器件置于所述镂空口中且使所述衬底器件位于所述遮撑条的上方。

可选的，在将所述支架嵌入所述开口中之后，把所述衬底器件置于所述镂空口中且使所述衬底器件位于所述遮撑条的上方。