[发明专利]柔性MEMS器件和电子设备

权利要求书

1.一种柔性MEMS器件，其特征在于，包括衬底基板，所述衬底基板包括：

第一基底，所述第一基底包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面具有凹槽；

第二基底，所述第二基底嵌设在所述凹槽中，所述第二基底的侧壁与所述凹槽的侧壁接触设置，所述第二基底的杨氏模量大于第一基底的杨氏模量，

所述第一基底包括硅橡胶，所述第二基底包括PET、PI中的至少之一；

所述柔性MEMS器件进一步包括MEMS组件，所述MEMS组件包括：

第一地线、信号传输结构和第二地线，所述第一地线、所述信号传输结构和所述第二地线依次排列且间隔设置在所述第二基底远离所述第二表面的表面上，其中，所述信号传输结构包括信号传输线和介电层，所述信号传输线设置在所述第二基底远离所述第二表面的表面上，所述介电层设置在所述信号传输线远离所述第二基底的表面上；

膜桥，所述膜桥分别与所述第一地线和所述第二地线电连接设置，且在电压作用时，所述膜桥靠近所述介电层，在非加压时，所述膜桥远离所述介电层。

2.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述第二基底的杨氏模量不低于所述第一基底的杨氏模量的100倍。

3.根据权利要求2所述的柔性MEMS器件，其特征在于，所述第二基底的杨氏模量不低于所述第一基底的杨氏模量的1000倍。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的柔性MEMS器件，其特征在于，所述柔性MEMS器件的整体应变不高于50％时，所述膜桥靠近所述衬底基板的表面与所述介电层远离所述衬底基板的表面之间的间距的变化不超过6.5％。

5.根据权利要求4所述的柔性MEMS器件，其特征在于，所述柔性MEMS器件的整体应变为不高于30％时，所述膜桥靠近所述衬底基板的表面与所述介电层远离所述衬底基板的表面之间的间距的变化不超过4％。

6.根据权利要求1所述的柔性MEMS器件，其特征在于，包括：

多个所述凹槽，多个所述凹槽设置在所述第一基底的所述第一表面；

多个所述第二基底，多个所述第二基底一一对应嵌设在多个所述凹槽内；

多个所述第一地线、多个所述信号传输结构和多个所述第二地线，每个所述第二基底远离所述第二表面的表面上依次排列且间隔设置有一个所述第一地线、一个所述信号传输结构和一个所述第二地线；

多个所述膜桥，每个所述信号传输结构一一对应设置一个所述膜桥。

7.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1～6任一项所述的柔性MEMS器件。