[发明专利]控温部件、控温装置及反应腔温控方法在审
申请号: | 202110589681.X | 申请日: | 2021-05-28 |
公开(公告)号: | CN115410941A | 公开(公告)日: | 2022-11-29 |
发明(设计)人: | 杜杰 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人: | 曹媛;张双红 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 部件 装置 反应 温控 方法 | ||
本发明公开一种控温部件,包括:热盖板,其上设有多个相互分立的第一阻流栅;冷盖板,其上设有多个相互分立的第二阻流栅;流体通道,设置在热盖板与冷盖板之间,由第一阻流栅和第二阻流栅依次交错排布且相互间隔形成,流体通道内用于流通流体以可控的调节由热盖板传递至冷盖板的热量。还公开一种控温装置,包括:反应腔,包括空腔和围成所述空腔的反应腔壁;如前所述的控温部件,位于反应腔壁的部分外表面,且热盖板与反应腔壁的外表面贴合。还公开一种反应腔温控方法。本发明能够很好的改善反应腔的热参数,满足对温度的精度、快速稳定要求,提高工艺精度,减小物料传输开关箱等非工艺时间,降低能耗,简化散热装置降低噪声提高部件的可靠性。
技术领域
本发明属于半导体技术领域,具体涉及一种控温部件、控温装置及反应腔温控方法。
背景技术
生产集成电路等半导体器件、有源无源电子元器件,甚至是一些工业产品,需要多种积成减成以及辅助工艺,诸如沉积、蚀刻、扩散、离子注入、氧化、退火等等,因此会涉及到多种半导体工艺装置。为防止反应的生成物堆积在反应腔内壁,保证晶圆或加工物件的温度稳定性,工艺装置的反应腔侧壁需要维持在与外部环境有较大差异的一个温度,往往是高温,反应腔需要加热或散热。
工艺装置的反应腔需要具备较好的热参数,例如温度、能耗、环境安全等相关的参数。宽的温度上限或下限、快速的温度稳定性能能让反应腔有更宽的产品加工适用范围。高的温度稳定精度,能提高反应腔的恒温性能继而提高其工艺精度。温度跟踪和调节能力,让反应腔快速跟踪设定温度和环境温度,减小物料传输或维保开箱等非工艺时间,提高设备产能效率。工艺装置的反应腔加工对象不同发热功率不同,热量释放功率变化范围大。反应腔散热功率可调,既能让温度快速跟踪调节,又能有效降低能耗,还能导引热能流到需要的部件上,有效提高各部件的温度可靠性,保护机器和人员安全舒适工作。低的热损耗功率能有效提高反应腔的能耗标准,降低反应腔外壁与环境的温度差,让装配在反应腔上的电气电子部件在简化散热设计的条件下就能提高可靠性。反应腔及其周围电子部件的散热装置,是反应腔的主要振动源之一,简化散热设计可以减小振动提高反应腔的图形化精度。
因此,有必要对现有的工艺装置的反应腔进行改进。
发明内容
本发明的目的是提供一种控温部件、控温装置及反应腔温控方法,能够可调地改善反应腔的热参数,满足对温度的精度、快速稳定要求,提高工艺精度,减小物料传输开关箱等非工艺时间,降低能耗,简化散热装置降低噪声提高部件的可靠性。
为了达到上述目的,本发明提供了一种控温部件,包括:
热盖板,其上设有多个相互分立的第一阻流栅;
冷盖板,其上设有多个相互分立的第二阻流栅;
流体通道,设置在所述热盖板与所述冷盖板之间,由所述第一阻流栅和所述第二阻流栅依次交错排布且相互间隔形成,所述流体通道内用于流通流体以可控的调节由热盖板传递至冷盖板的热量。
进一步的,所述流体通道的截面形状为波浪状、锯齿状或梳齿状。
进一步的,所述流体通道的长度大于所述热盖板或所述冷盖板的长度。
进一步的,所述控温部件还包括:流体进入口和流体出口,所述流体进入口和所述流体出口位于所述控温部件的同一侧或不同侧。
进一步的,所述流体包括:水、油或者气体中的一种或者多种。
进一步的,所述热盖板和所述冷盖板的材料为导热材料。
进一步的,还包括:冷板,位于所述冷盖板的外壁,用于对所述冷盖板进行冷却。
本发明还提供一种控温装置,包括:
反应腔,包括空腔和围成所述空腔的反应腔壁;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造