[发明专利]一种在提拉法系统中实时探测晶体生长界面变化趋势的方法

权利要求书

1.一种在提拉法系统中实时探测晶体生长界面变化趋势的方法，其特征在于：在晶体生长过程中，实时检测界面相本征电动势GEMF，计算每隔一段时间内界面相本征电动势GEMF的上升时间与下降时间的差值，得到时间差，伴随晶体生长不断累加时间差得到累计差，绘制累计差随时间变化的曲线即累计差曲线，根据累计差曲线的走势来实时判断晶体生长界面形状的变化趋势；

实时判断晶体生长界面形状的变化趋势的依据为：若累计差曲线上升或斜率大于0，则表示晶体生长界面形状处于变凸趋势；若累计差曲线下降或斜率小于0，则表示晶体生长界面形状处于变凹趋势；若累计差曲线水平或斜率等于0，则表示晶体生长界面形状不变。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在计算时间差之前对界面相本征电动势GEMF的检测信号进行滤波。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：采用截止频率0.1Hz的一阶低通滤波器进行滤波。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：该方法用于在晶体生长过程的放肩阶段或等径阶段中实时探测晶体生长界面形状的变化趋势。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：时间差的计算中，时间步长为数分钟。

6.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于：该方法使用的检测装置包括电压计，所述电压计分别电连接提拉法系统中的籽晶杆和坩埚，其通过测量籽晶杆与坩埚之间的电动势获得所述界面相本征电动势GEMF。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：所述电压计的负极通过导线与所述坩埚相连，其正极通过导电滑环与所述籽晶杆相连。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：所述检测装置还包括温度传感器，用于测量籽晶温度和坩埚温度。