[发明专利]光掩模结构

说明书

本发明公开一种光掩模结构，包括一基板；一主动电路区域，位于所述基板上；至少一个目标图案，位于所述主动电路区域内；以及至少一虚设图案分布在所述基板上，以将所述光掩模结构的透射率保持在一预定范围内。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种光掩模结构。

背景技术

曝光设备用于将电路图案的图像转印到晶片上，用于制造半导体元件，并将半导体元件集成在芯片上。曝光设备包括投影透镜单元，该投影透镜单元将形成在光掩模上的电路图案的图像转印到芯片上。

透镜加热是由高功率激光驱动的现象，该高功率激光被透镜材料吸收，并且通常是由于光掩模上的高度周期性结构导致透镜中的热负载不平衡而引起的。透镜加热和光掩模加热是半导体工业中的常见问题，透镜加热和光掩模加热导致的叠对偏移(overlayimpact)仍有待进一步解决。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种改良的光掩模结构，可以解决上述现有技术的不足与缺点。

本发明一方面提供一种光掩模结构，包括一基板；一主动电路区域，位于所述基板上；至少一个目标图案，位于所述主动电路区域内；以及至少一虚设图案分布在所述基板上，以将所述光掩模结构的透射率保持在一预定范围内。

根据本发明实施例，所述预定范围在之间。

根据本发明实施例，所述至少一虚设图案配置在所述主动电路区域之外。

根据本发明实施例，所述至少一虚设图案不被转印到一晶片上。

根据本发明实施例，所述至少一虚设图案包括形成在一铬层中的一孔洞图案。

根据本发明实施例，所述至少一虚设图案的尺寸与所述目标图案的尺寸不同。

根据本发明实施例，所述至少一虚设图案的尺寸小于所述目标图案的尺寸。

根据本发明实施例，所述基板是石英基板。

附图说明

图1是本发明实施例所绘示的一种光掩模结构上视示意图；

图2是沿着图1中切线I-I’所示的剖面示意图；

图3是光掩模温度变化、透镜温度变化和透射率(RT％)的关系图。

主要元件符号说明

1 光掩模结构

100 基板

100a 正面

100b 背面

110 铬层

A、B 尺寸

C、D 距离

CD 目标尺寸

AC 主动(有源)电路区域

DP 虚设图案区

DPP、DPP-1、DPP-2、DPP-3 虚设图案

TCP 目标图案

具体实施方式

在下文中，将参照附图说明细节，该些附图中的内容也构成说明书细节描述的一部分，并且以可实行该实施例的特例描述方式来绘示。下文实施例已描述足够的细节使该领域的一般技术人士得以具以实施。

当然，也可采行其他的实施例，或是在不悖离文中所述实施例的前提下作出任何结构性、逻辑性、及电性上的改变。因此，下文的细节描述不应被视为是限制，反之，其中所包含的实施例将由随附的权利要求来加以界定。