[发明专利]发光元件及发光元件的制造方法

说明书

本发明提供具有多量子阱结构、且以高发光输出功率发出紫外光的发光元件及该发光元件的制造方法。所述发光元件具有：n侧氮化物半导体层、设置在n侧氮化物半导体层上且具备由氮化物半导体形成的多个阱层和由氮化物半导体形成的多个势垒层的发出紫外光的活性层、设置在活性层上的p侧氮化物半导体层，其中，所述多个势垒层中至少1个势垒层从n侧氮化物半导体层侧起依次具有第1势垒层和第2势垒层，所述第1势垒层包含Al及Ga，所述第2势垒层与所述第1势垒层相接设置，包含Al、Ga及In，且带隙能量比第1势垒层小，所述多个阱层中至少1个阱层与第2势垒层相接设置，且具有比第2势垒层小的带隙能量。

技术领域

本发明涉及发光元件及发光元件的制造方法。

背景技术

近年来，正在积极地进行发出紫外光的发光元件的开发。例如，专利文献1公开了具有适合发出紫外光的多量子阱结构的发光元件。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平9-153645号公报

发明内容

发明要解决的课题

这样的具有多量子阱结构且发出紫外光的发光元件已经进行了改进，以便具有更高的发光输出功率，但仍然存在改善的余地。

因此，本发明的目的在于提供具有多量子阱结构、且以高发光输出功率发出紫外光的发光元件、以及该发光元件的制造方法。

解决课题的方法

本发明的发光元件具有：

n侧氮化物半导体层；

设置在所述n侧氮化物半导体层上的发出紫外光的活性层，所述活性层具备由氮化物半导体形成的多个阱层和由氮化物半导体形成的多个势垒层；

设置在所述活性层上的p侧氮化物半导体层，

所述多个势垒层中至少1个所述势垒层从所述n侧氮化物半导体层侧起依次具有第1势垒层和第2势垒层，所述第1势垒层包含Al及Ga，所述第2势垒层与所述第1势垒层相接设置，包含Al、Ga及In，且带隙能量比所述第1势垒层小，

所述多个阱层中至少1个所述阱层与所述第2势垒层相接设置，且具有比所述第2势垒层小的带隙能量。

另外，本发明的发光元件的制造方法是氮化物半导体发光元件的制造方法，该方法包括以下工序：

n侧氮化物半导体层生长工序，使n侧氮化物半导体层生长；

活性层生长工序，使发出紫外光的活性层在所述n侧氮化物半导体层上生长，所述活性层具备由氮化物半导体形成的多个阱层和由氮化物半导体形成的多个势垒层；以及

p侧氮化物半导体层生长工序，使p侧氮化物半导体层在所述活性层上生长，

其中，

所述活性层生长工序包括：

第1势垒层生长工序，使用包含Al原料气体、Ga原料气体及N原料气体的原料气体使第1势垒层生长；

第2势垒层生长工序，使用包含Al原料气体、Ga原料气体、In原料气体及N原料气体的原料气体使第2势垒层在所述第1势垒层上生长；以及

阱层生长工序，使用包含Ga原料气体及N原料气体的原料气体使比所述第2势垒层的带隙能量小的阱层在所述第2势垒层上生长。

发明的效果

根据本发明的一个实施方式的发光元件及发光元件的制造方法，可以提供具有多量子阱结构、且以高发光输出功率发出紫外光的发光元件、以及该发光元件的制造方法。

附图说明