[发明专利]一种欠压保护装置在审

专利信息
申请号: 202110575716.4 申请日: 2021-05-26
公开(公告)号: CN115411697A 公开(公告)日: 2022-11-29
发明(设计)人: 丁利强;蔡小五;郝宁;高悦欣;高马利;夏瑞瑞;刘海南;赵发展 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H02H3/24 分类号: H02H3/24;H02H1/00
代理公司: 北京华沛德权律师事务所 11302 代理人: 房德权
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 保护装置
【说明书】:

发明公开了一种欠压保护装置,包括:电压检测电路以及信号控制电路;电压检测电路的输入端与电源端连接,电压检测电路的输出端与信号控制电路输入端连接,信号控制电路输出端用于与待保护电路连接。电压检测电路包括电压检测晶体管,用于根据电源电压作用下电压检测晶体管的导通状态输出欠压保护信号。在电源电压的升压过程中,当电源电压低于第一阈值时,电压检测晶体管处于断开状态,欠压闭锁信号控制待保护电路处于关断状态。在电源电压的降压过程中,当电源电压降低至低于第二阈值时,电压检测晶体管处于断开状态,第二阈值小于第一阈值。本设计通过根据电源电压作用下电压检测晶体管的导通状态输出欠压闭锁信号,从而实现欠压保护。

技术领域

本发明涉及电路设计技术领域,尤其涉及一种欠压保护装置。

背景技术

在模拟集成电路系统中,许多电路结构对电源电压的波动非常敏感,尤其是当电源电压降低到特定工作电压以下后,系统电路将进入低压工作状态。这种情况下,一些电路可能会受到损坏或由于低压造成电路不稳定,导致系统出现误动作等情况,这些电路包括微处理器、微控制器、数字信号处理(DSP)等。因此,维持电源电压的稳定对模拟集成电路设计来说非常重要。

在实际应用中,许多电子类产品、便携式电子设备常采用电池供电,这样系统电路不可避免地会出现电池电量不足等情况。为避免系统损坏或者不可预知的工作情况地发生,为系统设计欠压保护电路来避免电源电压欠压情况的发生已成为了必要。

现有技术中,许多系统电路中会用欠压保护电路来防止系统电路在欠压情况运行。但现有技术设计的电路通常采用比较器还进行电压比较,存在电路较复杂、可靠性较差等诸多问题。

发明内容

本申请实施例提供了一种欠压保护装置,能够根据电源电压作用下电压检测晶体管的导通状态输出欠压保护信号,进而输出欠压闭锁信号,从而更简单、可靠地控制待保护电路的关断,实现欠压保护。

第一方面,本发明通过本发明的一实施例提供如下技术方案:

一种欠压保护装置,包括:电压检测电路以及信号控制电路;所述电压检测电路的输入端与电源端连接,所述电压检测电路的输出端与所述信号控制电路输入端连接,所述信号控制电路输出端用于与待保护电路连接;所述电压检测电路包括电压检测晶体管,用于根据电源电压作用下所述电压检测晶体管的导通状态输出欠压保护信号;所述信号控制电路,用于将所述欠压保护信号转换成欠压闭锁信号,所述欠压闭锁信号用于控制所述待保护电路的通断;在所述电源电压的升压过程中,当所述电源电压低于第一阈值时,所述电压检测晶体管处于断开状态,所述欠压闭锁信号控制所述待保护电路处于关断状态,当所述电源电压升高到大于或等于所述第一阈值时,所述电压检测晶体管处于导通状态,所述欠压闭锁信号控制所述待保护电路处于接通状态;在所述电源电压的降压过程中,当所述电源电压降低至低于第二阈值时,所述电压检测体管处于断开状态,所述欠压闭锁信号控制所述待保护电路处于关断状态;其中,所述第二阈值小于所述第一阈值。

优选地,电阻分压模块以及电流比较电路,所述电阻分压模块的输入端与所述电源端连接,所述电阻分压模块的输出端与所述电压检测晶体管栅极以及所述电流比较电路输入端连接,所述电流比较电路的输出端作为所述电压检测电路的输出。

优选地,所述电阻分压模块包括:分压晶体管、第一电阻以及第二电阻,所述分压晶体管栅极与使能端连接,源极与所述电源端连接,漏极与所述第一电阻一端相连,所述第一电阻的另一端与所述第二电阻的一端以及所述电压检测晶体管的栅极相连,所述第二电阻的另一端与所述电流比较电路的输入端相连。

优选地,所述电流比较电路包括:第一电流镜、第二电流镜以及参考晶体管;所述第一电流镜的输入端为所述电流比较电路的输入端,所述第一电流镜的输出端与所述电压检测晶体管源极连接,所述电压检测晶体管漏极与所述第二电流镜的输入端连接,所述第二电流镜的输出端与所述参考晶体管漏极连接,所述参考晶体管栅极与所述第一电流镜的输入端连接,所述参考晶体管的源极接地,所述参考晶体管漏极作为所述电压检测电路输出端。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110575716.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top