[发明专利]一种衍射型硅光加速度传感器制备工艺及得到的传感器

权利要求书

1.一种衍射型硅光加速度传感器制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1：取一SOI晶片，所述SOI晶片包括基层(12)、顶层(11)和位于基层(12)与顶层(11)之间的氧化层(13)；

S2：在顶层(11)表面涂覆光刻胶(14)，刻蚀形成质量块(3)、弹性连接结构(7)和固定锚(2)，同时在质量块(3)上刻蚀形成布拉格反射镜(6)，在顶层(11)上刻蚀形成波导块(4)和布拉格反射镜阵列(5)；

S4：在基层(12)底面涂覆光刻胶进行刻蚀，去除与质量块(3)、弹性连接结构(7)对应部分的基层(12)，保留与固定锚(2)相连接的部分；

S5：释放氧化层(13)使上腔体和下腔体联通形成腔体；

S6：安装光纤(9)并封装形成衍射型硅光加速度传感器。

2.根据权利要求1所述的衍射型硅光加速度传感器制备工艺，其特征在于，所述基层(12)形成基底硅基材料(1)并且所述固定锚(2)为成型在基底硅基材料(1)顶部四角的凸块。

3.根据权利要求1所述的衍射型硅光加速度传感器制备工艺，其特征在于，通过刻蚀工艺将所述弹性连接结构(7)成型为弹簧形，且4个所述弹性连接结构(7)呈中心对称设置，中心对称点与质量块(3)的质心共点。

4.根据权利要求3所述的衍射型硅光加速度传感器制备工艺，其特征在于，4个所述弹性连接结构(7)与所述固定锚(2)的连接点组成第一矩形四个顶点，4个所述弹性连接结构(7)与所述质量块(3)的连接点组成第二矩形四个顶点，所述第一矩形大于第二矩形。

5.根据权利要求4所述的衍射型硅光加速度传感器制备工艺，其特征在于，所述第一矩形和第二矩形的对角线共线，且相交于质量块(3)的质心。

6.根据权利要求4所述的衍射型硅光加速度传感器制备工艺，其特征在于，所述波导块(4)位于两个固定锚(2)之间的开口处。

7.根据权利要求1所述的衍射型硅光加速度传感器制备工艺，其特征在于，所述质量块(3)为两块，两块所述质量块(3)四角均具有弹性连接结构(7)和固定锚(2)，同时在每块质量块(3)上均刻蚀形成布拉格反射镜(6)，在顶层(11)上刻蚀形成两组波导块(4)和布拉格反射镜阵列(5)。

8.根据权利要求7所述的衍射型硅光加速度传感器，其特征在于，两个所述衍射型硅光加速度传感器的中轴线垂直。

9.一种衍射型硅光加速度传感器，其特征在于，由权利要求1-8任一项所述的衍射型硅光加速度传感器制备工艺制备得到。