[发明专利]减轻行锤击的存储器装置和使用其的半导体系统

权利要求书

1.一种存储器装置，包括：

激活监测电路，其被配置为通过监测访问存储单元阵列的存储体的间隔来生成多个选择控制信号；以及

模式寄存器电路，其被配置为基于所述多个选择控制信号将用于执行刷新操作的阈值设置为多个值中的一个。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，当访问所述存储体的次数等于或大于所述阈值时，所述刷新操作被执行。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，当访问所述存储体的间隔短于第一时间时，所述激活监测电路使能第一选择控制信号；当访问所述存储体的间隔长于所述第一时间且短于第二时间时，所述激活监测电路使能第二选择控制信号；以及当访问所述存储体的间隔长于所述第二时间时，所述激活监测电路使能第三选择控制信号。

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述模式寄存器电路基于所述第一选择控制信号将所述阈值设置为第一值，基于所述第二选择控制信号将所述阈值设置为大于所述第一值的第二值，以及基于所述第三选择控制信号将所述阈值设置为大于所述第二值的第三值。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述激活监测电路包括：

激活时段检测电路，其被配置为生成激活脉冲信号，所述激活脉冲信号具有与生成至少两个激活信号的间隔相对应的脉冲宽度；以及

脉冲宽度检测电路，被配置为通过检测所述激活脉冲信号的脉冲宽度来使能第一选择控制信号、第二选择控制信号和第三选择控制信号中的一个。

6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，所述模式寄存器电路基于所述第一选择控制信号将第一值设置为所述阈值，基于所述第二选择控制信号将大于所述第一值的第二值设置为所述阈值，以及基于所述第三选择控制信号将大于所述第二值的第三值设置为所述阈值。

7.一种存储器装置，包括：

第一存储体；

第二存储体；以及

行锤击控制电路，其被配置为通过监测访问所述第一存储体的激活间隔来设置第一阈值作为用于刷新所述第一存储体的参考，以及被配置为通过监测访问所述第二存储体的激活间隔来设置第二阈值作为用于刷新所述第二存储体的参考。

8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，当访问所述第一存储体的次数等于或大于所述第一阈值时，执行针对所述第一存储体的刷新操作，并且当访问所述第二存储体的次数等于或大于所述第二阈值时，执行针对所述第二存储体的刷新操作。

9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，在所述第一存储体的激活间隔较短时，所述行锤击控制电路将所述第一阈值设置为较低的值，并且在所述第一存储体的激活间隔较长时，所述行锤击控制电路将所述第一阈值设置为较高的值。

10.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，在所述第二存储体的激活间隔较短时，所述行锤击控制电路将所述第二阈值设置为较低的值，并且在所述第二存储体的激活间隔较长时，所述行锤击控制电路将所述第二阈值设置为较高的值。

11.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，所述行锤击控制电路包括：

第一激活监测电路，其被配置为通过监测所述第一存储体的激活间隔来生成多个第一选择控制信号；

第二激活监测电路，其被配置为通过监测所述第二存储体的激活间隔来生成多个第二选择控制信号；以及

模式寄存器电路，其被配置为基于所述多个第一选择控制信号将所述第一阈值设置为多个值中的一个，并且被配置为基于所述多个第二选择控制将所述第二阈值设置为多个值中的一个。