[发明专利]一种高熵超高温陶瓷基复合材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202110569439.6 | 申请日： | 2021-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN115385712A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 董绍明;蔡飞燕;倪德伟;高乐;何平;张翔宇;丁玉生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B38/00 | 分类号： | C04B38/00;C04B35/80;C04B35/565;C04B35/56;C04B35/622 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 超高温 陶瓷 复合材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种Cf/(TiaZrbHfcNbdTae)C-SiC高熵超高温陶瓷基复合材料，其特征在于，包括：碳纤维预制体，以及依次形成在碳纤维预制体中(TiaZrbHfcNbdTae)C高熵超高温陶瓷基体和SiC陶瓷基体组成，其中a=18～22%、b=18～22%、c=18～22%、d=18～22%、e=18～22%，且a+b+c+d+e=1；所述(TiaZrbHfcNbdTae)C高熵超高温陶瓷基体的含量为40～60wt%。
2.根据权利要求1所述的Cf/(TiaZrbHfcNbdTae)C-SiC高熵超高温陶瓷基复合材料，其特征在于，所述碳纤维预制体的体积分数为20～50vol%，所述SiC陶瓷基体的含量为30～50wt%。
3.根据权利要求1或2所述的Cf/(TiaZrbHfcNbdTae)C-SiC高熵超高温陶瓷基复合材料，其特征在于，所述碳纤维预制体中碳纤维表面还包含界面层；所述界面层选自PyC层、BN层、PyC层/SiC层和BN/SiC层中的至少一种；所述界面层的厚度为0.1～1μm。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的Cf/(TiaZrbHfcNbdTae)C-SiC高熵超高温陶瓷基复合材料，其特征在于，所述Cf/(TiaZrbHfcNbdTae)C-SiC高熵超高温陶瓷基复合材料的弯曲强度≥300 MPa，断裂韧性≥8 MPa·m1/2；在5MW/m2热流密度空气等离子烧蚀条件下，所述Cf/(TiaZrbHfcNbdTae)C-SiC高熵超高温陶瓷基复合材料线烧蚀率≤1μm/s。
5.一种如权利要求1-4中任一项所述Cf/(TiaZrbHfcNbdTae)C-SiC高熵超高温陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于，采用真空浸渍方法依次向碳纤维预制体中引入(TiaZrbHfcNbdTae)C高熵超高温陶瓷基体和SiC陶瓷基体，得到所述Cf/(TiaZrbHfcNbdTae)C-SiC高熵超高温陶瓷基复合材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所，未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110569439.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
