[发明专利]一种ITO靶材废靶循环利用方法

说明书

本发明提供一种ITO靶材废靶循环利用方法，通过将ITO废靶放入汽化炉内，将炉内温度呈梯度升高至4000‑5000℃，0‑30min升温至500℃，在此温度下放入ITO废靶，之后保温，30‑40min升温至3000℃，40‑60min升温至4000‑5000℃，之后保温，直至ITO废靶全部汽化，最后在氮气气氛下冷却，得到纯度4N，比表面6‑8的ITO粉末，再进行球磨、冷等静压、烧结、机加工、绑定，最终得到ITO靶材，这样采用梯度升温，在升温至500℃时放入废靶，再升温至4000‑5000℃，可以对废靶完全汽化，很好的控制废靶全部汽化，制得的ITO粉纯度高，废靶利用效果好。

技术领域

本发明涉及ITO靶材领域，尤其涉及一种ITO靶材废靶循环利用方法。

背景技术

ITO靶材在客户使用时，不会全部使用完，旋转ITO靶材利用率75%，平面ITO靶材利用率35%，本着能源再生及环境保护的原则，因此会有大量的废靶需要回收。传统行业做法是，将ITO废靶利用干法或湿法还原回收成2N的铟，再用精炼方式提炼成4N的铟锭，此利方法成本高，只利用了ITO废靶中的In,锡的回收价值低。现有技术专利CN102367519B公开了一种ITO废靶的高效回收方法，采用等离子气化法生产装置，使ITO靶材直接气化生成ITO粉末，整个回收过程在等离子气化装置中完成，该装置中产生稳定等离子电弧，在电弧高温作用下ITO废靶瞬间气化、冷却收集。但是该专利电弧汽化，并没有对温度进行限定，只是提及电弧高温为3000-6000℃，但是仅仅依靠此温度的高温进行汽化，汽化效果不可控，从而靶材的回收效果质量不可控。因此解决这一问题就显得十分必要了。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一种ITO靶材废靶循环利用方法，通过将ITO废靶放入汽化炉内，将炉内温度呈梯度升高至4000-5000℃，0-30min升温至500℃，在此温度下放入ITO废靶，之后保温，30-40min升温至3000℃， 40-60min升温至4000-5000℃，之后保温，直至ITO废靶全部汽化，最后在氮气气氛下冷却，得到纯度4N，比表面6-8的ITO粉末，再进行球磨、冷等静压、烧结、机加工、绑定，最终得到ITO靶材，这样采用梯度升温，在升温至500℃时放入废靶，再升温至4000-5000℃，可以对废靶完全汽化，很好的控制废靶全部汽化，制得的ITO粉纯度高，循环利用效果好，解决了背景技术中出现的问题。

本发明的目的是提供一种ITO靶材废靶循环利用方法，将ITO废靶放入汽化炉内，将炉内温度升高至4000-5000℃，ITO废靶在高温下直接汽化再冷却得到ITO粉，收集ITO粉，经过在氮气气氛下冷却，得到纯度4N，比表面6-8的ITO粉；

汽化炉升温呈梯度上升：0-30min升温至500℃，在此温度下放入ITO废靶，之后保温，30-40min升温至3000℃， 40-60min升温至4000-5000℃，之后保温，直至ITO废靶全部汽化，最后冷却，得到ITO粉；

ITO粉之后依次进行球磨得到纳米级ITO粉末、冷等静压制成ITO素胚、烧结制成高密度ITO靶材中间物、机加工、绑定，最终得到ITO靶材。

进一步改进在于：所述氮气0-3min充入速率为6L/min，之后充入速率为2L/min。

进一步改进在于：所述球磨具体为：将得到ITO粉放入球磨机依次进行球磨、砂磨、喷雾造粒后得到纳米级ITO粉末。

进一步改进在于：所述冷等静压具体为：将球磨制得的纳米级ITO粉末装于聚氨酯模具中，用冷等静压设备进行成型，制成ITO素胚。

进一步改进在于：所述烧结具体为：将冷等静压制成的ITO素胚置于高温氧气烧结炉中进行烧结，制成高密度ITO靶材中间物。

进一步改进在于：所述机加工具体为：将烧结制成高密度ITO靶材中间物进行内外圆磨、磨边机加工。

进一步改进在于：所述绑定具体为：将经过机加工后的高密度ITO靶材中间物绑定于钛管外表面。