[发明专利]一种存储器阵列

权利要求书

1.一种存储器阵列，其特征在于，所述存储器阵列中的每列存储单元包括：

多个存储单元，按照排列方向排成一列，每个所述存储单元的第一边缘区域设置有位线触点和互补位线触点，所述多个存储单元包括按相邻关系分为第一存储单元和第二存储单元构成的存储单元对，所述第一存储单元和第二存储单元各自的第二边缘区域连接以形成连接区域，所述连接区域位于所述第一存储单元和第二存储单元各自的第一边缘区域之间；

两条位线，分别与每个所述存储单元对中的第一存储单元和第二存储单元各自的位线触点一一对应连接；

两条互补位线，分别与每个所述存储单元对中的第一存储单元和第二存储单元各自的互补位线触点一一对应连接；

其中，每个所述存储单元连接一条字线，所述存储单元对中的第一存储单元和第二存储单元共用一条字线。

2.根据权利要求1所述的存储器阵列，其特征在于，所述多个存储单元在排列方向上按照第一存储单元、第二存储单元、第二存储单元和第一存储单元的方式进行排成一列；

所述多个存储单元中相邻的两个所述第一存储单元各自的第一边缘区域连接，以使相邻的两个所述第一存储单元共用位线触点和互补位线触点；

所述多个存储单元中相邻的两个所述第二存储单元各自的第一边缘区域连接，以使相邻的两个所述第二存储单元共用位线触点和互补位线触点。

3.根据权利要求1所述的存储器阵列，其特征在于，所述存储单元包括：

多个晶体管，至少包括以目标中心线对称设置的两个传输晶体管、两个下拉晶体管和两个上拉晶体管，所述目标中心线为所述列存储单元沿所述排列方向的中心线；

其中，所述连接区域至少包括所述两个上拉晶体管和所述两个下拉晶体管中多晶硅两侧有源区远离所述传输晶体管一侧的有源区；所述第一边缘区域至少包括所述两个传输晶体管中多晶硅两侧有源区远离所述连接区域一侧的有源区；所述第一边缘区域中的一个传输晶体管的有源区设置位线触点，另一个传输晶体管的有源区设置互补位线触点。

4.根据权利要求3所述的存储器阵列，其特征在于，所述存储单元包括：

第1至第N金属层，由下而上设置在所述多个晶体管上，所述第二金属层设置有所述两条位线和两条互补位线，所述N为大于1的正整数；

第1至第N绝缘层，设置在所述多个晶体管与第一金属层以及相邻的两个金属层之间；

其中，所述第一边缘区域的绝缘层设置有层间通孔，以使所述位线连接至位线触点及所述互补位线连接至所述互补位线触点。

5.根据权利要求4所述的存储器阵列，其特征在于，所述连接区域中所述第一存储单元和第二存储单元各自的两条位线、两条互补位线分别连接；

所述两条位线位于所述目标中心线的一侧，所述两条互补位线位于所述目标中心线的另一侧。

6.根据权利要求4所述的存储器阵列，其特征在于，所述目标中心线上方的上拉晶体管中的多晶硅通过第一金属层连接至所述目标中心线下方的下拉晶体管中多晶硅两侧有源区靠近所述传输晶体管一侧的有源区；

所述目标中心线下方的上拉晶体管中的多晶硅通过第二金属层中的自锁线连接至所述目标中心线上方的下拉晶体管中多晶硅两侧有源区靠近所述传输晶体管一侧的有源区。

7.根据权利要求4所述的存储器阵列，其特征在于，每个所述存储单元的传输晶体管中远离所述目标中心线的多晶硅设置有字线触点；

所述存储单元对中的第一存储单元和第二存储单元各自设置的字线触点连接同一条字线。

8.根据权利要求4所述的存储器阵列，其特征在于，每个所述存储单元设置有地线触点和电源线触点；

所述列存储单元包括：

地线，连接至每个所述存储单元设置的地线触点；

电源线，连接至每个所述存储单元设置的电源线触点；

其中，所述存储单元对中的第一存储单元和第二存储单元共用所述连接区域的下拉晶体管的有源区设置的地线触点和上拉晶体管的有源区设置的电源线触点；所述连接区域的绝缘层设置有层间通孔，以使所述电源线连接至所述电源线触点以及所述地线连接至所述地线触点。