[发明专利]减少掉电后读错误几率的方法、装置、存储介质和终端

说明书

本发明公开了一种减少掉电后读错误几率的方法、装置、存储介质和终端，在芯片执行擦除操作期间，若发生异常掉电时，芯片内部自动启动断电中断保护，结束芯片的擦除操作，并根据所述擦除指令信息对芯片内的存储单元执行过擦除修复；若出现快掉电，此时可能已经对部分需要执行过擦除修复的存储单元执行完过擦除修复，在重新上电时，虽然还是会有过擦除导致读数据出错的问题，但因为有部分存储单元已经执过擦除修复，所以因过擦除导致读数据出错的几率会有所下降；若出现慢掉电，这时可以对芯片内需要执行过擦除修复的全部存储单元都执行完过擦除修复，在重新上电时，即可避免因过擦除造成的读数据错误的问题。

技术领域

本发明涉及FLASH技术领域，尤其涉及的是一种减少掉电后读错误几率的方法、装置、存储介质和终端。

背景技术

现有的NOR FLASH在掉电后，电路内部判断电压是否达到低压阈值，若达到则启动掉电保护模块，并发送中断至算法状态机，算法状态机对响应中断，将电压泵放电后退出算法。而这样操作的缺点是：

在NOR FLASH在擦除阵列A(Array A)内的扇区A(sector A)过程中发生慢掉电，若此时内部算法流程正在处于擦除的步骤（如图1所示），还没有到修复“过擦除”单元的步骤就暂停(即分支2)，那么在电压恢复后读同一个阵列A（Array A）内的另一个扇区B（sectorB）的数据时可能会出错，读出的数据是一个随机值(取决于扇区A中“过擦除”单元的数量和分布，因为“过擦除”单元的阈值电压一般为负值，在读取扇区B的数据时，若扇区A中存在“过擦除”单元，0v不能使“过擦除”单元关闭，“过擦除”单元会产生电流，导致读数据出错，如图2所示)。

因此，现有的技术还有待于改进和发展。

发明内容

本发明的目的在于提供一种减少掉电后读错误几率的方法、装置、存储介质和终端，旨在解决现有技术中的一个或多个问题。

本发明的技术方案如下：本技术方案提供一种减少掉电后读错误几率的方法，具体包括以下步骤：

接收擦除指令信息；

根据所述擦除指令信息对芯片内的存储单元执行擦除操作；

判断芯片是否出现异常掉电，

否，则不改变芯片当前的操作状态；

是，则启动断电中断保护，

根据所述断电中断保护结束芯片的擦除操作，并根据所述擦除指令信息对芯片内的存储单元执行过擦除修复。

进一步地，所述判断芯片是否出现异常掉电，具体过程如下：判断施加到所述芯片内的存储单元的电压是否下降到预设阈值。

进一步地，所述异常掉电包括快掉电和慢掉电。

进一步地，当异常掉电为慢掉电，所述根据所述断电中断保护结束芯片的擦除操作，并根据所述擦除指令信息对芯片内的存储单元执行过擦除修复之后还包括以下过程：

S7：判断芯片内需要执行过擦除修复的存储单元是否都已经都执行过擦除修复，是则跳转至S8，否则跳转至S9；

S8：使施加到所述芯片内的存储单元的电压下降为0，并退出过擦除修复流程；

S9：根据所述擦除指令信息对芯片内的存储单元执行过擦除修复并跳转至S7。

进一步地，所述擦除指令信息包括擦除指令和芯片内需要进行擦除操作的储存单元的地址。

本技术方案还提供一种减少掉电后读错误几率的装置，包括：

接收模块，接收擦除指令信息；

擦除模块，根据所述擦除指令信息对芯片内的存储单元执行擦除操作；