[发明专利]减少掉电后读错误几率的方法、装置、存储介质和终端

权利要求书

1.一种减少掉电后读错误几率的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

接收擦除指令信息；

根据所述擦除指令信息对芯片内的存储单元执行擦除操作；

判断芯片是否出现异常掉电，所述异常掉电包括快掉电和慢掉电,

否，则不改变芯片当前的操作状态；

是，则启动断电中断保护，

根据所述断电中断保护结束芯片的擦除操作，并根据所述擦除指令信息对芯片内的存储单元执行过擦除修复;

当异常掉电为慢掉电，所述根据所述断电中断保护结束芯片的擦除操作，并根据所述擦除指令信息对芯片内的存储单元执行过擦除修复之后还包括以下过程：

S7：判断芯片内需要执行过擦除修复的存储单元是否都已经都执行过擦除修复，是则跳转至S8，否则跳转至S9；

S8：使施加到所述芯片内的存储单元的电压下降为0，并退出过擦除修复流程；

S9：根据所述擦除指令信息对芯片内的存储单元执行过擦除修复并跳转至S7。

2.根据权利要求1所述的减少掉电后读错误几率的方法，其特征在于，所述判断芯片是否出现异常掉电，具体过程如下：判断施加到所述芯片内的存储单元的电压是否下降到预设阈值。

3.根据权利要求1所述的减少掉电后读错误几率的方法，其特征在于，所述擦除指令信息包括擦除指令和芯片内需要进行擦除操作的储存单元的地址。

4.一种减少掉电后读错误几率的装置，其特征在于，包括：

接收模块，接收擦除指令信息；

擦除模块，根据所述擦除指令信息对芯片内的存储单元执行擦除操作；

判断模块，判断芯片是否出现异常掉电，所述异常掉电包括快掉电和慢掉电;

状态保持模块，不改变芯片当前的操作状态;

中断启动模块，启动断电中断保护，

过擦除修复模块，根据所述断电中断保护结束芯片的擦除操作，并根据所述擦除指令信息对芯片内的存储单元执行过擦除修复,并用于在异常掉电为慢掉电时，执行所述根据所述断电中断保护结束芯片的擦除操作，根据所述擦除指令信息对芯片内的存储单元执行过擦除修复之后执行以下过程：

S7：判断芯片内需要执行过擦除修复的存储单元是否都已经都执行过擦除修复，是则跳转至S8，否则跳转至S9；

S8：使施加到所述芯片内的存储单元的电压下降为0，并退出过擦除修复流程；

S9：根据所述擦除指令信息对芯片内的存储单元执行过擦除修复并跳转至S7。

5.根据权利要求4所述的减少掉电后读错误几率的装置，其特征在于，所述判断模块采用电压检测模块实现。

6.根据权利要求4所述的减少掉电后读错误几率的装置，其特征在于，所述擦除模块和过擦除修复模块通过芯片内部的算法模块实现。

7.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质中存储有计算机程序，当所述计算机程序在计算机上运行时，使得所述计算机执行权利要求1至3任一项所述的方法。

8.一种终端，其特征在于，包括处理器和存储器，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器通过调用所述存储器中存储的所述计算机程序，用于执行权利要求1至3任一项所述的方法。