[发明专利]一种应用于高功率光源芯片的面阵喷射降压强化散热装置

权利要求书

1.一种应用于高功率光源芯片的面阵喷射降压强化散热装置，包括自上而下相互层叠设置的上密封叠片(1)、上冷却叠片(2)、导流叠片(3)、下冷却叠片(4)和下密封叠片(5)；

所述下密封叠片(5)上设置相互隔离的第一入水口(6)和第一出水口(7)；

所述下冷却叠片(4)上设置相互隔离的第一镂空微结构(8)和第二镂空微结构(9)；所述第一镂空微结构(8)的位置对应于第一入水口(6)；所述第一镂空微结构(8)内设有由若干个筋板构成的冷却通道(10)；所述第二镂空微结构(9)的位置对应于第一出水口(7)；

所述导流叠片(3)上设置相互隔离的第二入水口(11)、第三镂空微结构(12)与导流结构；所述第二入水口(11)的位置对应于第一镂空微结构(8)；所述导流结构的位置对应于若干个冷却通道(10)；

所述上冷却叠片(2)上设有相互隔离的第三入水口(14)、第二出水口(15)、第四镂空微结构(16)；所述第三入水口(14)与第二出水口(15)的位置分别对应于第二入水口(11)、第三镂空微结构(12)；

所述上密封叠片(1)上设置相互隔离第四入水口(18)与第三出水口(19)，其位置分别对应于第三入水口(14)与第二出水口(15)；

其特征在于：

所述导流结构为面阵喷射结构(13)；所述面阵喷射结构(13)由N×M个喷射孔组成，其中N为列，M为行；

所述第四镂空微结构(16)内，且与导流叠片(3)上面阵喷射结构(13)相对应的位置设有热量导引片(17)；

所述热量导引片(17)采用铜或金刚石或碳化硅制作，包括X个的筋条，X个的筋条构成X+1个微型通道(23)，且每个筋条与其相邻筋条的距离相等；最外侧微型通道(23)的宽度大于内侧。

2.根据权利要求1所述的一种应用于高功率光源芯片的面阵喷射降压强化散热装置，其特征在于：所述喷射孔根据形状分为长方形喷射孔(131)和正方形喷射孔(132)；

所述长方形喷射孔(131)设有两列，且设置在面阵喷射结构(13)的两侧；所述正方形喷射孔(132)设有N-2列，设置在两列长方形喷射孔(131)之间；

所述长方形喷射孔(131)的宽等于正方形喷射孔(132)的边长。

3.根据权利要求2所述的一种应用于高功率光源芯片的面阵喷射降压强化散热装置，其特征在于：所述长方形喷射孔(131)的长为0.5mm，正方形喷射孔(132)的边长为0.2mm。

4.根据权利要求3所述的一种应用于高功率光源芯片的面阵喷射降压强化散热装置，其特征在于：所述筋条的长短有序分布，最外侧的三个筋条为短筋条，其余筋条长短交替分布。

5.根据权利要求4所述的一种应用于高功率光源芯片的面阵喷射降压强化散热装置，其特征在于：所述最外侧微型通道(23)的宽度为0.5mm，所述内侧微型通道(23)的宽度为0.2mm。

6.根据权利要求5所述的一种应用于高功率光源芯片的面阵喷射降压强化散热装置，其特征在于：所述第四镂空微结构(16)沿着第三入水口(14)两侧延伸至第二出水口(15)。

7.根据权利要求6所述的一种应用于高功率光源芯片的面阵喷射降压强化散热装置，其特征在于：所述第二镂空微结构(9)包括主流通区域(91)、两条相互对称的第一微通道(92)和两条相互对称的第二微通道(93)；

所述主流通区域(91)的位置对应于第一出水口(7)；

所述第一微通道(92)由主流通区域(91)延伸至第一镂空微结构(8)；所述第二微通道(93)由主流通区域(91)延伸至第一微通道(92)边缘，且与第一微通道(91)相隔离；

所述第三镂空微结构(12)与第二镂空微结构(9)完全相同。

8.根据权利要求7所述的一种应用于高功率光源芯片的面阵喷射降压强化散热装置，其特征在于：所述第一镂空微结构(8)内处于中间的两个筋板等长，且向两边依次递减。