[发明专利]一种极紫外多层膜及其制备方法

权利要求书

1.一种极紫外多层膜，其特征在于，包括：依次层叠设置的基底、阻挡层及表面保护层，所述阻挡层由多个周期设置的阻挡单元构成，任意一个阻挡单元包括依次设置的Si层、第一扩散阻挡层、Mo层及第二扩散阻挡层。

2.根据权利要求1所述的极紫外多层膜，其特征在于，所述基底为Si片、熔石英、微晶玻璃或ULE材料。

3.根据权利要求1所述的极紫外多层膜，其特征在于，所述第一扩散阻挡层及所述第二扩散阻挡层为B-C-N三元化合物。

4.根据权利要求3所述的极紫外多层膜，其特征在于，所述Mo层在所述Si层上界面的扩散阻挡层厚度为0.8nm，所述Si层在Mo层上的界面的扩散阻挡层厚度为0.4nm。

5.根据权利要求4所述的极紫外多层膜，其特征在于，所述扩散阻挡层材料为B-C-N三元化合物材料。

6.根据权利要求1所述的极紫外多层膜，其特征在于，所述表面保护层材料为Ti-Al-N三元化合物材料。

7.根据权利要求6所述的极紫外多层膜，其特征在于，所述表面保护层的厚度为2～4nm。

8.根据权利要求1所述的极紫外多层膜，其特征在于，所述周期为60周期，周期厚度为7nm。

9.一种根据权利要求1至8任一项所述的极紫外多层膜的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：

在基底上依次层叠设置阻挡层及表面保护层，所述阻挡层由多个周期设置的阻挡单元构成，任意一个阻挡单元包括依次设置的Si层、第一扩散阻挡层、Mo层及第二扩散阻挡层。

10.根据权利要求9所述的极紫外多层膜的制备方法，其特征在于，所述采用反应磁控溅射在所述基底表面沉积阻挡层，其中：溅射靶为B4C靶，反应气体为N₂气。

11.根据权利要求9所述的极紫外多层膜的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射在所述阻挡层表面沉积表面保护层，其中：溅射靶为Ti-Al合金靶，反应气体为N₂气。