[发明专利]一种降低晶体生长炉装配高度的组件及使用方法在审
申请号: | 202110546770.6 | 申请日: | 2021-05-19 |
公开(公告)号: | CN113337897A | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | 武红磊;李文良;金雷;覃佐燕 | 申请(专利权)人: | 深圳大学 |
主分类号: | C30B35/00 | 分类号: | C30B35/00 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 徐律 |
地址: | 518000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 降低 晶体生长 装配 高度 组件 使用方法 | ||
本发明涉及半导体晶体生长技术领域,公开了一种降低晶体生长炉装配高度的组件及使用方法,其中组件包括承重板,其顶部适用于固定晶体生长炉;活动支撑组件安装于承重板的底部,并可驱动承重板进行升降动作;一组固定支撑组件可在承重板和晶体生长炉到达设计高度时,固定支撑于承重板的底部且分设于活动支撑组件的两侧;活动支撑组件适于在晶体生长炉安装到预设位置时,从承重板底部拆除。可以在较低位置先进行承重板与晶体生长炉的安装固定,之后再利用活动支撑件将晶体生长炉和承重板提升到合适的高度,接着利用固定支撑组件进行支撑固定,安装更加方便,提高了装配效率,无需反复安装,可以避免造成晶体生长炉损坏。
技术领域
本发明涉及半导体晶体生长技术领域,具体为一种降低晶体生长炉装配高度的组件及使用方法。
背景技术
经过60多年的不断发展,全球半导体材料的发展不断取得突破,第三代半导体材料碳化硅(SiC)、氮化铝(AlN)等正在快速的发展,因其具备着较宽的禁带宽度、较高的击穿场强以及较高的饱和电子漂移速率,第三代半导体材料主要是面向新一代的光电子设备,在新一代的通信设备、智能电网、新能源汽车、消费类电子设备等领域都有着非常广泛的应用场景。SiC和AlN等生长装置通常为比较沉重且占据空间较大的晶体生长炉。
实验室室内的楼层高度大约在3-4米左右,而SiC和AlN等晶体生长炉的装置设备高度大约在2.2-2.8米,随着晶体尺寸的需求发展,晶体生长炉的尺寸也会变得更大。在通常实验室的条件下会使得正常装配比较困难,楼层的高度限制给晶体生长炉的装配带来了困难。目前,晶体生长炉的配备对小规模的科研单位是一个比较麻烦的问题。
目前在有限空间装配晶体生长炉的方法主要是通过叉车与工作人员相互配合的方式来将晶体生长炉放置在实验需求的位置。然而,这种方式存在以下缺点:
1.效率比较低下;
2.由于晶体生长炉比较沉重,当晶体生长炉放置在高处时与理想位置有所偏差的时候,通过人工的力量比较难以进行调整,调整较为麻烦;
3.若晶体生长炉放置在高处时与理想位置偏差较大的时候,需要重新进行装配,容易导致晶体生长炉的炉体进行损伤。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于克服现有技术中的采用叉车与人工相配合的方式装配晶体生长炉存在效率低下,调整较为麻烦且容易导致炉体损伤的技术问题,从而提供一种可适用于有限空间内的、可避免传统方式产生安装偏差的、可降低晶体生长炉装配高度的组件及使用方法。
为此,本发明的其中一个目的在于提供一种降低晶体生长炉装配高度的组件,包括:
承重板,其顶部设有固定安装部且所述固定安装部适用于固定晶体生长炉;
活动支撑组件,安装于所述承重板的底部,并可驱动所述承重板进行升降动作;
一组固定支撑组件,可在所述承重板和晶体生长炉到达设计高度时,固定支撑于所述承重板的底部且分设于所述活动支撑组件的两侧;
所述活动支撑组件适于在所述晶体生长炉安装到预设位置时,从所述承重板底部拆除。
可选的,所述的降低晶体生长炉装配高度的组件,还包括;
调节组件,其可活动地安装在所述固定支撑组件的底部,适于在所述晶体生长炉的装配位置与预设位置发生较大偏差时、驱动所述固定支撑组件移动以带动所述晶体生长炉移动至预设位置。
可选的,所述的降低晶体生长炉装配高度的组件,所述调节组件包括:
滚轮,可滚动地安装在所述固定支撑组件的底部;
伸缩支撑杆,通过调节转换螺丝可伸缩地安装在所述固定支撑组件的底部;
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