[发明专利]一种基于PEDOT-ZnO纳米异质结的温度传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于PEDOT-ZnO纳米异质结的温度传感器，其特征在于，所述温度传感器以PEDOT的纳米材料和ZnO的纳米材料形成的纳米异质结作为温度敏感元件；

所述PEDOT纳米材料为PEDOT纳米管或纳米棒，所述ZnO的纳米材料为ZnO的纳米管或纳米棒；

所述温度敏感元件为PEDOT纳米管和ZnO纳米棒组成的点接触式P-N纳米异质结；

所述温度传感器还包括硅基衬底，所述硅基衬底上设置有叉指电极，所述纳米异质结连接于相邻的叉指电极之间；

所述ZnO纳米棒的一端固定于相邻的其中一个叉指电极上，另一端与所述PEDOT纳米管的一端形成点接触，所述PEDOT纳米管的另一端固定于相邻的另一个叉指电极上；

同一个所述叉指电极上生长多个ZnO纳米棒，多个所述ZnO纳米棒与同一个所述PEDOT纳米管形成点接触。

2.根据权利要求1所述的温度传感器，其特征在于，所述PEDOT纳米管的长度为10～12μm，其外径约为400～450nm，内径约为250～300nm。

3.根据权利要求1所述的温度传感器，其特征在于，所述ZnO纳米棒的长度为3～3.5μm，直径约为100～150nm。

4.根据权利要求1所述的温度传感器，其特征在于，所述硅基衬底包括硅片和涂敷于所述硅片表面的氧化硅绝缘层，所述叉指电极设置于所述氧化硅绝缘层上。

5.根据权利要求1所述的温度传感器，其特征在于，其制备方法包括如下步骤：

1)在P型硅片上沉积的SiO₂薄膜层；

2)采用溅射法在所述SiO₂薄膜层的表面制备叉指电极和引脚层；

3)通过光刻溅射和晶种生长在所述叉指电极上生长制备多个垂直排列的ZnO纳米棒；

4)通过交流介电泳技术将PEDOT纳米管设于相邻的电极之间，使之与多个ZnO纳米棒相连，形成稳定的空气桥结构。