[发明专利]一种磁路优化方法有效
申请号: | 202110532392.6 | 申请日: | 2021-05-17 |
公开(公告)号: | CN113239604B | 公开(公告)日: | 2022-07-26 |
发明(设计)人: | 杨青慧;樊鑫安;肖伟;刘国超;杜姗姗;王明;张怀武 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G06F30/25 | 分类号: | G06F30/25;G06F111/10 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 吴姗霖 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 磁路 优化 方法 | ||
1.一种磁路优化方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1、对磁路中的线圈部分的电阻建立模型:
其中,ρ为铜线的电阻率,d为磁极柱的直径,dCu为带绝缘漆的铜线的直径,d'Cu为纯铜线的直径,Nr为径向方向铜线的匝数,Nr=[(D-d)/2dCu-0.5],D为磁路腔体的直径,Nh为高度方向铜线的匝数,h为线圈高度,上式中所有[·]代表高斯取整函数;
步骤2、对磁路的磁场强度建立模型:
其中,Ha为磁路的磁场强度,N为线圈匝数,N=NrNh,I为线圈中通过的电流大小,la为磁路气隙间隙,lm为磁路长度,Sa为磁路气隙空气柱面积,Sm为磁极柱面积,μm(Ha)为磁路材料在磁场强度Ha下的磁导率;
步骤3、建立磁路优化模型:
其中,F(x)=[Ha,-I]=[f1,f2],优化变量x=(h,d,Sa,D,d'Cu,P),P为磁路中的线圈部分的功耗;hmin为预设的线圈高度的最小值,hmax为预设的线圈高度的最大值,dmin为预设的磁极柱的直径的最小值,dmax为预设的磁极柱的直径的最大值,Samin为预设的磁路气隙空气柱面积的最小值,Samax为预设的磁路气隙空气柱面积的最大值,Dmin为预设的磁路腔体的直径的最小值,Dmax为预设的磁路腔体的直径的最大值,d'Cumin为预设的纯铜线的直径的最小值,d'Cumax为预设的纯铜线的直径的最大值,Pmin为预设的磁路中的线圈部分的功耗的最小值,Pmax为预设的磁路中的线圈部分的功耗的最大值;
步骤4、采用多目标粒子群算法对步骤3得到的磁路优化模型进行优化求解,得到帕累托最优解集;
步骤5、利用步骤4中得到的帕累托最优解集中的解建立三维电磁仿真模型进行仿真,得到最优的优化变量。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110532392.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。