[发明专利]用于转移微小结构体的基板及其制造方法在审
| 申请号： | 202110525063.9 | 申请日： | 2021-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN113675128A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 上田修平;竹内正树;山崎裕之;塚田健斗 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;C03C17/30 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张智慧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 转移 微小 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种用于转移微小结构体的基板，包括：
合成石英玻璃基板，和
设置于所述合成石英玻璃基板的正面的有机硅压敏粘合剂层，
其中，所述基板在正面具有刻印标记。
2.根据权利要求1所述的用于转移微小结构体的基板，其中，所述合成石英玻璃基板在空间频率1mm-1以上的功率谱密度为1012nm4以下，所述功率谱密度通过利用白光干涉仪以像素数1240×1240对所述合成石英玻璃基板的正面和背面的6.01mm×6.01mm的区域进行测定而得到。
3.根据权利要求1或2所述的用于转移微小结构体的基板，其中，所述合成石英玻璃基板的背面的表面粗糙度(Ra)为0.05μm以下。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的用于转移微小结构体的基板，其中，所述刻印标记为深度3～25μm、点尺寸20～200μm的激光标记。
5.一种用于转移微小结构体的基板的制造方法，其制造权利要求1～4中任一项所述的用于转移微小结构体的基板，该方法包括下述步骤：
在合成石英玻璃基板的正面设置刻印标记以得到具有刻印标记的合成石英玻璃基板的工序，和
在所述具有刻印标记的合成石英玻璃基板的正面上设置有机硅压敏粘合剂层的工序。
6.根据权利要求5所述的用于转移微小结构体的基板的制造方法，其中，所述设置有机硅压敏粘合剂层的工序是下述工序：在具有刻印标记的合成石英玻璃基板的正面施加有机硅压敏粘合剂组合物，之后使其固化。
7.根据权利要求5所述的用于转移微小结构体的基板的制造方法，其中，所述设置有机硅压敏粘合剂层的工序是下述工序：在具有刻印标记的合成石英玻璃基板的正面贴合由有机硅压敏粘合剂组合物形成的固化产物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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